半导体存储器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118695598A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410328849.5

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 一种半导体存储器件包括:基板;在基板上的多个栅极堆叠结构,所述多个栅极堆叠结构包括多条栅极线和在所述多条栅极线之间的多个绝缘膜;与所述多条栅极线交替堆叠的多个第一分离绝缘膜,其中所述多个栅极堆叠结构和所述多个第一分离绝缘膜限定接触孔;在接触孔中并接触所述多个栅极堆叠结构的接触电极;以及一个或更多个第二分离绝缘膜,在所述多个栅极堆叠结构中的一个或更多个的最上面的栅极线上并将接触电极与最上面的栅极线分离。

    半导体器件和包括该半导体器件的电子系统

    公开(公告)号:CN119183293A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202410023293.9

    申请日:2024-01-05

    Abstract: 一种半导体器件包括:电路区域,包括衬底上的外围电路;以及单元区域,与电路区域相邻。单元区域包括单元阵列区域和连接区域。单元区域还包括:栅极堆叠,包括交替地堆叠在衬底上的层间绝缘层和栅电极;沟道,在单元阵列区域中,该沟道延伸穿过栅极堆叠;主支撑件,在连接区域中,该主支撑件延伸穿过栅极堆叠;以及接触电极,在连接区域中,该接触电极穿过栅极堆叠连接到栅电极。主支撑件包括:第一部分,沿第一方向延伸;以及第二部分,在与第一方向交叉的第二方向上从第一部分沿延伸。接触电极的至少一部分被主支撑件的第一部分和第二部分围绕。

    半导体器件和包括该半导体器件的电子系统

    公开(公告)号:CN119212393A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202410430965.8

    申请日:2024-04-11

    Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子系统,该半导体器件包括:第一基板;布线层,在第一基板上;第二基板,在布线层上并包括导电材料;第一水平导电层和第二水平导电层,依次堆叠在第二基板上并连接到第二基板;栅极堆叠结构,包括交替地堆叠在第二水平导电层上的层间绝缘层和栅电极;沟道结构,穿过栅极堆叠结构并连接到第二基板;第一电容器电极,在与第二基板相同的层上;第二电容器电极,与第一电容器电极重叠;以及第一电介质层,在第一电容器电极和第二电容器电极之间,其中,第二电容器电极在与布线层、第二基板、第一水平导电层和栅电极中的至少一个相同的层上。

    电机以及用于制造该电机的方法

    公开(公告)号:CN104753196B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201410842737.8

    申请日:2014-12-30

    Abstract: 本公开提供了电机以及用于制造该电机的方法。压缩机包括电机,该电机包括定子组件和转子,定子组件构造为包括其中形成中空体的定子、由缠绕在定子上的绕组形成的多个线圈以及用于使定子与线圈绝缘的绝缘体,转子被插入到中空体中,并构造为关于旋转轴旋转。转子包括多个磁极,并且该磁极的中心部分的外圆周的曲率半径与该磁极的边缘部分的外圆周的曲率半径不同。一种用于制造电机的方法包括:将形成在具有多个汇流条的汇流条组件中的定子钩联接到形成在具有多个线圈的定子组件中的钩结合件,以及将绕组熔接到折叠板上,该折叠板连接到多个汇流条。

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