公开(公告)号：CN115643760A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210827355.2

申请日：2022-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泽徽 ,  李载德 ,  李豪峻 ,  张盛弼

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/20 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：存储器单元区域、包括外围电路区域的第一类型的半导体衬底以及多个传输晶体管，其中，外围电路区包括第一区域和第二区域，第一区域是第二类型，并且包括第一掺杂区域、以及位于第一掺杂区域之下并且被配置为具有比第一掺杂区域高的掺杂浓度的第一阱区域，第二区域是第一类型，并且包括第二掺杂区域、以及位于第二掺杂区域之下并且被配置为具有比第二掺杂区域高的掺杂浓度的第二阱区域，多个传输晶体管之中的位于第一区域上的第一传输晶体管连接到串选择线或接地选择晶体管，多个传输晶体管之中的位于第二区域上的第二传输晶体管连接到字线，其中，正电压或负电压在第二传输晶体管的操作期间被施加到第二阱区域。