公开(公告)号：CN111180517B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201911086122.6

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许廷焕 ,  金东赞 ,  金旲炫 ,  金依珠 ,  李智修

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括交叉有源区域的栅极沟槽以及在栅极沟槽中的栅极结构。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的内壁上的栅极电介质层、设置在栅极电介质层上并部分地填充栅极沟槽的栅电极、设置在栅电极上的栅极盖绝缘层、以及设置在栅极沟槽中并设置在栅极盖绝缘层上的间隙填充绝缘层。栅极盖绝缘层包括通过氧化栅电极的一部分、氮化栅电极的一部分、或者氧化和氮化栅电极的一部分而形成的材料。

公开(公告)号：CN111180517A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911086122.6

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许廷焕 ,  金东赞 ,  金旲炫 ,  金依珠 ,  李智修

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括交叉有源区域的栅极沟槽以及在栅极沟槽中的栅极结构。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的内壁上的栅极电介质层、设置在栅极电介质层上并部分地填充栅极沟槽的栅电极、设置在栅电极上的栅极盖绝缘层、以及设置在栅极沟槽中并设置在栅极盖绝缘层上的间隙填充绝缘层。栅极盖绝缘层包括通过氧化栅电极的一部分、氮化栅电极的一部分、或者氧化和氮化栅电极的一部分而形成的材料。