公开(公告)号：CN102479702A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110214106.8

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  裵良浩 ,  宋溱镐 ,  徐五成 ,  洪瑄英 ,  吴和烈 ,  金俸均 ,  徐南锡 ,  杨东周 ,  李旺宇

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层；在上金属层上形成第一膜图案；通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案；通过蚀刻第一硅层和第二硅层，形成第一硅图案和第二硅图案；通过灰化第一膜图案形成第二膜图案；通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案；通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案，形成数据线和薄膜晶体管；以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。