公开(公告)号：CN116110875A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210933160.6

申请日：2022-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋 ,  庾炳玟 ,  李廷炫

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装件包括：下再分布结构，包括下再分布绝缘层、位于所述下再分布绝缘层中的凸块焊盘和电连接到所述凸块焊盘的下再分布图案，其中，所述下再分布绝缘层包括一个或更多个侧壁，所述一个或更多个侧壁限定从所述下再分布绝缘层的底表面延伸到所述下再分布绝缘层的上表面的腔；无源组件，所述无源组件位于所述下再分布绝缘层的所述腔中；绝缘填料，所述绝缘填料位于所述下再分布绝缘层的所述腔中，并且覆盖所述无源组件的侧壁；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述下再分布结构上，并且电连接到所述下再分布图案和所述无源组件二者；以及外部连接凸块，所述外部连接凸块经由所述下再分布绝缘层的焊盘开口连接到所述凸块焊盘。

公开(公告)号：CN111063678A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910971115.8

申请日：2019-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡昇训 ,  文昭渊 ,  徐永官 ,  李廷炫 ,  赵兮英

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片；无源组件，与所述半导体芯片并排设置，并且具有连接电极；以及连接结构，位于所述无源组件的下表面上。所述连接结构包括：第一金属层，电连接到所述连接电极；第二金属层，与所述第一金属层位于相同高度上并且与所述第一金属层相邻设置；以及布线绝缘层，具有绝缘区域，所述绝缘区域填充所述第一金属层和所述第二金属层之间的空间并且沿一个方向延伸。所述绝缘区域的最小宽度被称为第一宽度，并且所述无源组件的一端与所述绝缘区域的一端之间在相同高度上的最短距离被称为间隔距离，所述间隔距离可以为所述第一宽度的两倍或更多倍。