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公开(公告)号:CN101154645A
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200710161960.6
申请日:2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李大虎
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/02 , H05K3/06
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L23/3121 , H01L23/49838 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H05K2201/09236 , H05K2201/09781 , Y10T29/49155 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种电路基板。在一实施例中,电路基板包括基板和设置于该基板上的防翘曲图案。该防翘曲图案包括在该基板的第一角部的第一图案和在该基板的第二角部的第二图案。该第一角部和该第二角部彼此相邻地设置。相对于该基板,该第一图案的总体取向不同于该第二图案的总体取向。半导体封装的翘曲可通过切断电路基板角部的应力线而显著减小。提供防翘曲图案的各种配置和取向以有效阻挡电路基板角部的应力集中。
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公开(公告)号:CN114497006A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111200531.1
申请日:2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065
Abstract: 一种本发明构思的堆叠芯片封装包括:第一芯片和堆叠在所述第一芯片上的第二芯片。所述第一芯片可以包括第一单元阵列区、包括第一核心端子的第一核心电路区、以及包括多个第一外围电路端子的第一外围电路区。所述第二芯片可以包括:第二单元阵列区,在所述第一单元阵列区上;第二核心电路区,在所述第一核心电路区上并包括第二核心端子;以及贯通孔,在所述第一外围电路区上并连接到所述多个第一外围电路端子中的至少一个第一外围电路端子。
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公开(公告)号:CN113851467A
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202110470779.3
申请日:2021-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 提供了半导体封装和具有半导体封装的堆叠式封装模块。半导体封装包括:下部再分布层,具有形成多个下部球形焊盘组的多个下部球形焊盘;半导体芯片,在下部再分布层上;扩展层,在下部再分布层上围绕半导体芯片;以及上部再分布层,在半导体芯片和扩展层上,并具有形成多个上部球形焊盘组的多个上部球形焊盘。多个上部球形焊盘组的数量可以与多个下部球形焊盘组的数量相同。在多个上部球形焊盘中,多个上部球形焊盘组之一中的每个上部球形焊盘可以是虚设球形焊盘。
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公开(公告)号:CN107430480B
公开(公告)日:2020-11-20
申请号:CN201680012167.7
申请日:2016-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0484 , G06F3/0488
Abstract: 第一电子设备可以包括:显示器,其显示在第一电子设备中执行的应用的执行屏幕;以及处理器,其被配置为接收用于将与应用的执行屏幕内选择的一个或多个对象相关的内容发送到第二电子设备的输入,并且被配置为响应于输入将与一个或多个选择的对象相关的内容发送到第二电子设备。与一个或多个选择的对象相关的内容可以被显示在第二电子设备中,而不被显示在第一电子设备的执行屏幕上。
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公开(公告)号:CN108697369A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680082407.0
申请日:2016-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R33/56545 , G01R33/443 , G01R33/4818 , G01R33/482 , G01R33/5611 , G01R33/5615 , G01R33/5616 , G01R33/56554 , G01R33/56563
Abstract: 提供了一种用于基于多回波序列获取磁共振(MR)图像的磁共振成像(MRI)设备和所述MRI设备的方法。所述MRI设备包括:数据获取器,被配置为基于在第一回波时间产生的回波获取第一回波数据,并且基于在比第一回波时间晚的第二回波时间产生的回波获取第二回波数据,其中,第一回波数据包括k空间中与包括在第二回波数据中的部分重叠的部分。所述MRI设备还包括:图像处理器,被配置为基于第一回波数据和第二回波数据重建MR图像。
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公开(公告)号:CN108601553A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201780011092.5
申请日:2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁共振成像(MRI)设备,包括:射频(RF)控制器,被配置为在重复时间段内进行以下操作:控制MRI设备向对象施加具有覆盖对象的多个切片之中的两个或更多个切片的覆盖区域的RF预备脉冲,控制MRI设备向对象施加分别与所述多个切片相应的RF脉冲,并移动所述覆盖区域。所述MRI设备还包括:数据获取器,被配置为在所述重复时间段期间从所述多个切片获取磁共振信号。
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公开(公告)号:CN118540583A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410193804.1
申请日:2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备包括运动传感器、图像信号处理器核心、图像稳定器和图像尺寸控制器。运动传感器通过感测捕获图像以生成原始帧图像的相机模块的运动来生成相机运动数据。图像信号处理器核心通过处理与原始帧图像相对应的输入帧图像来生成处理的帧图像。图像稳定器通过对处理的帧图像执行电子图像稳定来生成输出帧图像。图像尺寸控制器基于相机运动数据来估计指示相机模块的相机运动程度的运动水平,并且基于运动水平来控制输入帧图像的尺寸或输出帧图像的尺寸。通过估计相机运动并根据相机运动调整图像尺寸来有效地执行图像稳定。
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公开(公告)号:CN118118805A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202311494033.1
申请日:2023-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/57 , H04N25/589 , H04N25/611 , H04N25/62 , H04N25/671
Abstract: 图像信号处理器包括降噪电路、高动态范围(HDR)电路和后处理电路。降噪电路在第一操作模式下对各自分别对应于多个亮度级别之一的多个曝光噪声图像执行降噪操作以生成多个曝光干净图像,并且在第二操作模式下对与一个亮度级别相对应的单个噪声图像执行降噪操作以生成单个干净图像。HDR电路在第一操作模式下合并多个曝光干净图像以生成HDR图像。后处理电路通过处理HDR图像或单个干净图像来生成输出图像。
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公开(公告)号:CN105323379A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510463423.1
申请日:2015-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/725 , H04B1/3888
CPC classification number: H04M1/7253 , G06F1/163 , H04M1/05 , H04M1/576 , H04M1/6066 , H04W84/18
Abstract: 一种移动终端,包括:通信器,被配置成与可穿戴设备通信;存储器,被配置成存储指示所述可穿戴设备的能力的能力信息;和处理器,被配置成基于所述能力信息,在可穿戴设备中确定能够执行所述移动终端的功能的第一可穿戴设备和第二可穿戴设备,第一可穿戴设备被配置成执行用于执行所述移动终端的功能的第一子功能,第二可穿戴设备被配置成执行要与所述第一子功能一起执行的第二子功能,以便执行所述移动终端的所述功能,所述处理器被配置成控制第一可穿戴设备执行第一子功能并控制第二可穿戴设备执行第二子功能。
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公开(公告)号:CN103961101A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410045289.9
申请日:2014-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B5/055
CPC classification number: G01R33/56518
Abstract: 本发明提供一种磁共振成像设备及其控制方法。该磁共振成像设备包括:磁组件,包括主磁体和梯度线圈单元,并在自身的孔中形成静磁场和梯度磁场;梯度控制器,将测试梯度波形施加到磁组件,并通过反映被施加的测试梯度波形的实际形状来补偿由涡电流引起的磁场梯度的变形。
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