公开(公告)号：CN111128937B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201911029210.2

申请日：2019-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勳 ,  李相珍 ,  张珉硕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，包括布线层，并且具有在底表面上设置有止挡层的凹入部；半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与有效表面相对的无效表面，无效表面设置在凹入部中并面向止挡层；第一连接部，位于连接垫上；第二连接部，位于最上面的布线层上；加强件，位于框架的上表面上，并围绕第二连接部的至少一部分，加强件与第二连接部间隔开；包封剂，覆盖框架和半导体芯片中的每个的至少一部分，并填充凹入部的至少一部分；以及连接结构，位于框架和半导体芯片上，并包括电连接到第一连接部和第二连接部的重新分布层。

公开(公告)号：CN110534140B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910339068.5

申请日：2019-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勳 ,  文大植 ,  孙宁洙 ,  孙永训 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  赵泫润 ,  河庆洙 ,  玄锡勳

IPC: G11C7/10

Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。

公开(公告)号：CN109494220B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201810639708.X

申请日：2018-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  刘庭均 ,  李东勳 ,  李允逸

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/775 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00

Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；垂直沟道结构，包括在第一方向上延伸的一对有源鳍及夹置在所述一对有源鳍之间的绝缘部分，所述第一方向垂直于所述衬底的上表面；上源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构上；下源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构下方及所述衬底上；栅极电极，设置在所述上源极/漏极与所述下源极/漏极之间且环绕所述垂直沟道结构；以及栅极介电层，设置在所述栅极电极与所述垂直沟道结构之间。所述栅极电极与所述上源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔可小于所述栅极电极与所述下源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔。本公开的半导体器件具有适于按比例缩放的结构。

公开(公告)号：CN111128937A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911029210.2

申请日：2019-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勳 ,  李相珍 ,  张珉硕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，包括布线层，并且具有在底表面上设置有止挡层的凹入部；半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与有效表面相对的无效表面，无效表面设置在凹入部中并面向止挡层；第一连接部，位于连接垫上；第二连接部，位于最上面的布线层上；加强件，位于框架的上表面上，并围绕第二连接部的至少一部分，加强件与第二连接部间隔开；包封剂，覆盖框架和半导体芯片中的每个的至少一部分，并填充凹入部的至少一部分；以及连接结构，位于框架和半导体芯片上，并包括电连接到第一连接部和第二连接部的重新分布层。

公开(公告)号：CN110534140A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910339068.5

申请日：2019-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勳 ,  文大植 ,  孙宁洙 ,  孙永训 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  赵泫润 ,  河庆洙 ,  玄锡勳

IPC: G11C7/10

Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。

公开(公告)号：CN109494220A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810639708.X

申请日：2018-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  刘庭均 ,  李东勳 ,  李允逸

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/775 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00

Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；垂直沟道结构，包括在第一方向上延伸的一对有源鳍及夹置在所述一对有源鳍之间的绝缘部分，所述第一方向垂直于所述衬底的上表面；上源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构上；下源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构下方及所述衬底上；栅极电极，设置在所述上源极/漏极与所述下源极/漏极之间且环绕所述垂直沟道结构；以及栅极介电层，设置在所述栅极电极与所述垂直沟道结构之间。所述栅极电极与所述上源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔可小于所述栅极电极与所述下源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔。本公开的半导体器件具有适于按比例缩放的结构。