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    处理生物特征图像的方法和包括该方法的电子设备
    1.
    发明授权
    处理生物特征图像的方法和包括该方法的电子设备 有权

    公开(公告)号：CN109388926B

    公开(公告)日：2024-02-09

    申请号：CN201810610577.2

    申请日：2018-06-13

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 黄孝锡 ,  许珍九 ,  李丙圭

    IPC: G06F21/32

    Abstract: 提供了一种生物特征图像处理方法和一种包括该生物特征图像处理方法的设备。该生物特征图像处理方法包括：从生物特征传感器获取生物特征图像；通过针对与生物特征图像对应的多个评估项目中的每一个评估项目计算评估分数来评估生物特征图像的图像质量；通过使用包括图像质量的改善程度的图像质量改善表来确定与评估结果对应的改善算法和改善算法的权重中的至少一个；以及根据所确定的改善算法和改善算法的权重中的至少一个来修正生物特征图(56)对比文件BHARADWAJ， ET. AL.Quality assessmentbased denoising to improve facerecognition performance.IEEE.2011,第140-145页.EUN-KYUNG YUN, ET. AL.Adaptivefingerprint image enhancement withfingerprint image quality analysis.IMAGEAND VISION COMPUTING.2006,第101-110页.

    光传送模块和使用该模块的热辅助磁记录头
    3.
    发明授权
    光传送模块和使用该模块的热辅助磁记录头 失效

    公开(公告)号：CN1945712B

    公开(公告)日：2011-12-07

    申请号：CN200610121327.X

    申请日：2006-08-21

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 徐成东 ,  孙镇升 ,  李丙圭 ,  赵恩亨

    IPC: G11B11/105 ,  G11B5/02

    CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B7/1387 ,  G11B2005/0021

    Abstract: 本发明提供了一种光传送模块和使用该模块的热辅助磁记录(HAMR)头，所述模块的结构使得部件能够精确对准并且被集成为单个单元。所述光传送模块包括：具有第一凹槽的底座；安装在所述底座上的光源；安装在所述底座上的光学器件，其引导从所述光源发出的光；结合到所述底座上以保护所述光源和光学器件的盖元件，其具有朝向所述第一凹槽的第二凹槽；和结合在所述第一和第二凹槽中以通过调节通过所述光学器件传导的光的分布而形成增强近场的纳米孔径。

    垂直磁记录介质
    5.
    发明授权
    垂直磁记录介质 失效

    公开(公告)号：CN1238840C

    公开(公告)日：2006-01-25

    申请号：CN03147266.4

    申请日：2003-07-11

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 李丙圭 ,  吴薰翔 ,  李炅珍

    IPC: G11B5/66

    CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/656 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/74 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0029

    Abstract: 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。

    磁记录介质
    6.
    发明公开
    磁记录介质 失效

    公开(公告)号：CN1645484A

    公开(公告)日：2005-07-27

    申请号：CN200410082257.2

    申请日：2004-12-20

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 李丙圭 ,  吴薰翔

    IPC: G11B5/66

    CPC classification number: G11B5/855 ,  G11B5/66

    Abstract: 提供一种磁记录介质。该介质包括磁记录层和支承磁记录层的衬底，其中磁记录层由多孔晶体隔离薄膜构成，该薄膜能够通过微孔磁性地及物理地隔离晶体。从Co、Fe、Ni、Cr、Pt、Pd、Ti、Ta、Ru、Si、Al、Nb、B、Nd、Sm以及Pr中选出的一种过渡金属元素或该元素的合金被注入孔内。该磁记录介质具有良好的热稳定性和S/N特性。

    垂直磁记录介质
    7.
    发明公开
    垂直磁记录介质 失效

    公开(公告)号：CN1374640A

    公开(公告)日：2002-10-16

    申请号：CN01145760.0

    申请日：2001-12-31

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 李丙圭

    IPC: G11B5/66 ,  G11B11/10

    CPC classification number: G11B5/66 ,  Y10T428/265

    Abstract: 提供一种垂直磁记录介质,其中在一基材和垂直磁记录层之间形成的一垂直定向促进底层用于感应垂直磁记录层使之垂直定向,垂直磁记录介质进一步包括一在基材和垂直定向促进底层之间的用于抑制从底层到垂直磁记录层的连续晶体生长的晶体生长中止层。有效抑制在垂直磁记录层中的晶体生长导致了低的噪音水平。因此,垂直磁记录介质随信噪比增加而具有高－密度记录应用。

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