公开(公告)号：CN101022131A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610121887.5

申请日：2006-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玩濬 ,  朴鲁政

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  D01F11/121 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供一种具有载流子俘获材料的单极碳纳米管以及具有该单极碳纳米管的单极场效应晶体管。密封在碳纳米管中的载流子俘获材料通过掺杂该碳纳米管而容易地将碳纳米管的双极特性转变成单极特性。另外，p型和n型碳纳米管和场效应晶体管可以根据载流子俘获材料来实现。

公开(公告)号：CN1770467A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106780.9

申请日：2005-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  朴鲁政 ,  朴玩浚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管。

公开(公告)号：CN100481502C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510106780.9

申请日：2005-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  朴鲁政 ,  朴玩浚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管。