公开(公告)号：CN100514696C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610003637.1

申请日：2006-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金周永 ,  李恩庆 ,  李芳璘 ,  具本原 ,  朴铉定 ,  李相润

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  C08L101/04

CPC classification number: H01L21/0212 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1825651A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610003637.1

申请日：2006-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金周永 ,  李恩庆 ,  李芳璘 ,  具本原 ,  朴铉定 ,  李相润

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  C08L101/04

CPC classification number: H01L21/0212 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1979913A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200510129418.3

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴铉定 ,  具本原 ,  李相润 ,  郑银贞 ,  金周永 ,  慎重汉

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/052 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1893141A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610087882.5

申请日：2006-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相润 ,  郑银贞 ,  韩政锡 ,  韩国珉 ,  李泰雨 ,  朴铉定

IPC: H01L51/40

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/052

Abstract: 本发明的实施方案实例用于制造有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括基片、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物源/漏极和有机半导体层，其中金属氧化物源/漏极用含有磺酸基的形成自组装单分子层(SAM)的化合物进行表面处理。根据本发明的实施方案实例，可以将源/漏极的表面改性为更加疏水和/或可以增加构成源/漏极的金属氧化物的功函至高出构成有机半导体层的有机半导体材料的功函。根据本发明的一个或多个实施方案实例制造的有机薄膜晶体管可以显示出较高的载流子迁移率。本发明还披露了包括具有由本发明实施方案实例制成的有机薄膜晶体管的显示器件的各种器件实例。