公开(公告)号：CN118695590A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410332778.6

申请日：2024-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞训 ,  金钟圭 ,  金承勋 ,  朴素贤 ,  李愚铉

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路器件，包括：具有有源区的衬底，在衬底上的多个位线结构，所述多个位线结构包括在其侧壁上的绝缘间隔物，每个位线结构包括位线和在位线上的绝缘盖图案；在所述多个位线结构之间并电连接到有源区的掩埋接触；以及电连接到掩埋接触的落着焊盘，落着焊盘布置为在绝缘盖图案上垂直重叠位线结构，其中相对于衬底，落着焊盘的最高表面高于绝缘盖图案的最高表面。

公开(公告)号：CN110277295A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910109891.7

申请日：2019-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全尚珍 ,  崔日燮 ,  朴珍永 ,  朴赞训 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  严正焕 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了用于制造半导体器件的系统和方法。所述用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；静电卡盘，用于装载基底；电源，将RF功率提供到静电卡盘；阻抗匹配器，位于电源与静电卡盘之间；功率传输单元，将静电卡盘连接到阻抗匹配器。功率传输单元可以包括功率杆和同轴电缆，功率杆连接到静电卡盘并且具有第一外径。同轴电缆可以包括内线、外线以及位于内线与外线之间的介电材料。内线将功率杆连接到阻抗匹配器并且具有比第一外径小的第二外径。外线连接到腔室且被设置为包围内线，并且具有比第一外径小且比第二外径大的第一内径。第一内径与第二外径的比大于介电材料的介电常数并且小于介电材料的介电常数的三倍。

公开(公告)号：CN111430207B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201910964482.5

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承润 ,  朴赞训 ,  宣钟宇 ,  成正模 ,  韩济愚 ,  朴珍荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。

公开(公告)号：CN111128666B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910825086.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  宣钟宇 ,  韩济愚 ,  朴赞训 ,  宋承润 ,  明涩荷

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。

公开(公告)号：CN110323116B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201811245039.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞训 ,  严正焕 ,  朴珍荣 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  宣种宇 ,  全尚珍 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。

公开(公告)号：CN110277295B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201910109891.7

申请日：2019-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全尚珍 ,  崔日燮 ,  朴珍永 ,  朴赞训 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  严正焕 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了用于制造半导体器件的系统和方法。所述用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；静电卡盘，用于装载基底；电源，将RF功率提供到静电卡盘；阻抗匹配器，位于电源与静电卡盘之间；功率传输单元，将静电卡盘连接到阻抗匹配器。功率传输单元可以包括功率杆和同轴电缆，功率杆连接到静电卡盘并且具有第一外径。同轴电缆可以包括内线、外线以及位于内线与外线之间的介电材料。内线将功率杆连接到阻抗匹配器并且具有比第一外径小的第二外径。外线连接到腔室且被设置为包围内线，并且具有比第一外径小且比第二外径大的第一内径。第一内径与第二外径的比大于介电材料的介电常数并且小于介电材料的介电常数的三倍。

公开(公告)号：CN110323116A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811245039.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞训 ,  严正焕 ,  朴珍荣 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  宣种宇 ,  全尚珍 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。

公开(公告)号：CN103378161A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310149427.3

申请日：2013-04-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 金洞院 ,  金大万 ,  丁润夏 ,  朴修永 ,  朴赞训 ,  白禄贤 ,  李尚贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/78 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介质层。沟道区的与源极区邻近的部分具有比沟道区的与漏极区邻近的另一部分小的截面面积。

公开(公告)号：CN111430207A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201910964482.5

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承润 ,  朴赞训 ,  宣钟宇 ,  成正模 ,  韩济愚 ,  朴珍荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。

公开(公告)号：CN111128666A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910825086.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  宣钟宇 ,  韩济愚 ,  朴赞训 ,  宋承润 ,  明涩荷

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。