公开(公告)号：CN114649262A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111429774.2

申请日：2021-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴寅源 ,  金辅淳 ,  朴钟淳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/085

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括在第一区域和第二区域之间的边界区域；在第一区域上的第一有源图案；在第二区域上的第二有源图案；以及在边界区域上且在第一有源图案和第二有源图案之间的隔离绝缘图案。第一有源图案中的至少一个的宽度不同于第一有源图案中的另一个的宽度。第二有源图案的宽度可以彼此相等。隔离绝缘图案的底表面包括与对应的第一有源图案相邻的第一底表面、与对应的第二有源图案相邻的第二底表面以及在第一底表面和第二底表面之间的第三底表面。第三底表面相对于基板的底表面位于与第一底表面和第二底表面的高度不同的高度。

公开(公告)号：CN105826385B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201610032156.7

申请日：2016-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  都承右 ,  朴寅源 ,  成石铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。

公开(公告)号：CN105826385A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610032156.7

申请日：2016-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  都承右 ,  朴寅源 ,  成石铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。