公开(公告)号：CN106504782A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610681822.X

申请日：2016-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京范 ,  文贤锺 ,  李稀裼 ,  车承勇

IPC: G11C5/02 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C11/4093 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1084 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4096 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06

Abstract: 提供了一种用于改善信号完整性的半导体存储器装置和半导体系统。所述半导体存储器装置包括具有用于片内终结的第一终结电阻器的第一存储器裸片，以及具有用于片内终结的第二终结电阻器并形成在第一存储器裸片上的第二存储器裸片。第一存储器裸片和第二存储器裸片中的每个具有中心焊盘型并且基于多列结构而操作。当访问第一存储器裸片时，第二终结电阻器连接到第二存储器裸片，当访问第二存储器裸片时，第一终结电阻器连接到第一存储器裸片。