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公开(公告)号：CN118230790A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311143437.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：包括多个单元块的存储单元阵列，多个单元块包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块和存储用户数据的第二单元块，其中，多个单元块中的每一个单元块包括多个单元串；以及控制电路，被配置为控制存储单元阵列的写入操作和读取操作。第一单元块中包括的第一接地选择线(GSL)区域包括沿垂直方向堆叠的多条GSL。多个接地选择晶体管中的连接到多条GSL之一的一个或更多个接地选择晶体管被编程到第一阈值电压，多个接地选择晶体管中的未连接到该GSL的其他接地选择晶体管被编程到高于第一阈值电压的第二阈值电压。所述第一单元块中的第一GSL区域中包括的第一线与第二单元块中的连接到在存储用户数据的存储单元的字线被布置在相同高度。
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公开(公告)号：CN110619913A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910509505.3
申请日：2019-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件。一种存储器器件包括在下层衬底上的非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列。提供了一种擦除控制电路，其被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用具有不相等幅度的相应擦除电压驱动电耦合到非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列的多条位线。这种擦除控制电路还可以被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用第一擦除电压驱动所述多条位线中的第一位线达第一持续时间，并且用第二擦除电压驱动所述多条位线中的第二位线达与所述第一持续时间不相等的第二持续时间。
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公开(公告)号：CN116168747A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211475346.8
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐贤
Abstract: 一种半导体器件包括单元区域和外围电路区域，所述单元区域包括：堆叠在衬底上的多条字线；至少一条接地选择线，其位于所述多条字线与所述衬底之间；和多个通道结构，其穿过所述多条字线和所述至少一条接地选择线，所述外围电路区域包括控制所述单元区域的外围电路。所述外围电路在第一编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入第一接地选择偏置电压、以向从所述多条字线中选择的编程字线输入第一编程电压，并且在第二编程时间期间向所述至少一条接地选择线输入大小与所述第一接地选择偏置电压的大小不同的第二接地选择偏置电压以输入第二编程电压，所述第二编程电压与所述第一编程电压不同。
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公开(公告)号：CN110554836A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910047497.5
申请日：2019-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括：由第一串选择线和第一字线限定的第一子块；由不同于第一串选择线的第二串选择线和不同于第一字线的第二字线限定的第二子块；由第一串选择线和第二字线限定的第一空块；由第二串选择线和第一字线限定的第二空块。在第一子块中编程第一数据，在第二子块中编程第二数据，并且不在第一空块和第二空块中编程数据。
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公开(公告)号：CN118248199A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311454371.2
申请日：2023-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐贤
Abstract: 提供了非易失性存储器装置和对其中的数据进行编程的方法。在对非易失性存储器装置中的数据进行编程的方法中，非易失性存储器装置包括存储器单元和页缓冲器，所述多个存储器单元电连接到字线和位线，并且页缓冲器控制存储器单元。在第一编程循环的第一编程时段中，将具有第一编程电压的编程电压施加到选择的字线，并且将具有第一延迟的位线切断信号施加到页缓冲器，选择的字线与目标存储器单元电连接。在一个编程循环期间编程电压被多次施加到选择的字线，同时编程电压的大小被改变。位线切断信号的延迟对应于位线切断信号维持地电压的时段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110554836B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201910047497.5
申请日：2019-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括：由第一串选择线和第一字线限定的第一子块；由不同于第一串选择线的第二串选择线和不同于第一字线的第二字线限定的第二子块；由第一串选择线和第二字线限定的第一空块；由第二串选择线和第一字线限定的第二空块。在第一子块中编程第一数据，在第二子块中编程第二数据，并且不在第一空块和第二空块中编程数据。
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公开(公告)号：CN110619913B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201910509505.3
申请日：2019-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件。一种存储器器件包括在下层衬底上的非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列。提供了一种擦除控制电路，其被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用具有不相等幅度的相应擦除电压驱动电耦合到非易失性存储器单元的垂直NAND串阵列的多条位线。这种擦除控制电路还可以被配置为在擦除垂直NAND串阵列中的非易失性存储器单元的操作期间用第一擦除电压驱动所述多条位线中的第一位线达第一持续时间，并且用第二擦除电压驱动所述多条位线中的第二位线达与所述第一持续时间不相等的第二持续时间。
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公开(公告)号：CN116580740A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310115593.5
申请日：2023-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储设备的操作方法，所述方法包括：从外部设备接收编程命令；响应于编程命令确定操作模式；当操作模式为表面贴装技术(SMT)模式时，执行初始编程操作，其中多个存储单元通过多个步骤被编程以形成第一阈值电压分布；以及当操作模式为正常模式时，执行正常编程操作，其中多个存储单元通过单个步骤被编程以形成第二阈值电压分布，其中，第一阈值电压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。
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公开(公告)号：CN118280421A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311215854.7
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐贤
Abstract: 公开了闪存及其读取恢复操作方法。所述闪存包括：第一存储单元至第三存储单元，它们在单元串中连接；第一选择线，其被配置为选择所述单元串；第二选择线，其被配置为选择与公共源极线的连接；第一字线，其连接到所述第一存储单元并且与所述第一选择线或所述第二选择线相邻；第二字线，其连接到所述第二存储单元并且与所述第一字线相邻；以及第三字线，其连接到所述第三存储单元并且位于所述第二字线与所述第一选择线或所述第二选择线之间。其中，在读取操作期间，当所述选定字线是所述第二字线时对未选字线施加第一恢复电压，以及当所述选定字线不是所述第二字线时对所述未选字线施加第二恢复电压。
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公开(公告)号：CN114078529A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110760456.8
申请日：2021-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
Abstract: 一种用于对多页数据进行编程的非易失性存储器设备的操作方法，该操作方法包括：从存储器控制器接收多页数据；将多页数据当中的第一页数据编程到连接到与选择的字线相邻的字线的第一存储器单元；在对第一页数据进行编程之后，基于第一感测值和第二感测值来读取先前存储在连接到选择的字线的第二存储器单元中的先前页数据；通过将基于第一感测值读取的先前页数据的第一位与基于第二感测值读取的先前页数据的第二位进行比较来计算第一失败位数；并且基于第一失败位数将从第二存储器单元读取的先前页数据和多页数据当中的第二页数据编程到第二存储器单元。
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