公开(公告)号：CN112310064A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010431111.3

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  金承焕 ,  吴晙荣 ,  高炅焕 ,  金祥洙 ,  张童柱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/24 ,  H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L21/54 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装件；第二封装件，所述第二封装件位于所述第一封装件上，所述第二封装件包括第二封装基板、位于所述第二封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片以及位于所述第二封装基板上并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第二模制部件；填充部件，所述填充部件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间；第一通孔，所述第一通孔穿透所述第二封装基板，所述第一通孔位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间；第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二模制部件，所述第二通孔连接到所述第一通孔，其中，所述填充部件具有设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的延伸部。

公开(公告)号：CN112310064B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202010431111.3

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  金承焕 ,  吴晙荣 ,  高炅焕 ,  金祥洙 ,  张童柱

IPC: H10B80/00 ,  H10D80/30 ,  H01L23/24 ,  H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L21/54 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装件；第二封装件，所述第二封装件位于所述第一封装件上，所述第二封装件包括第二封装基板、位于所述第二封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片以及位于所述第二封装基板上并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第二模制部件；填充部件，所述填充部件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间；第一通孔，所述第一通孔穿透所述第二封装基板，所述第一通孔位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间；第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二模制部件，所述第二通孔连接到所述第一通孔，其中，所述填充部件具有设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的延伸部。

公开(公告)号：CN116031166A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211184904.5

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承焕 ,  高炅焕 ,  金埩周 ,  金钟完 ,  朴埈祐 ,  白亨吉 ,  李镕官 ,  张童柱 ,  全泰俊

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法可以包括：提供衬底，所述衬底具有分别沿着所述衬底的彼此相对的第一侧部和第二侧部设置的第一切割区域和第二切割区域，以及位于第一切割区域和第二切割区域之间的安装区域；在安装区域上设置至少一个半导体芯片；在衬底上形成模制构件；以及从模制构件去除虚设流道部分的至少一部分和虚设卷边部分。模制构件可以包括密封部分、设置在衬底的第二侧部外侧的虚设卷边部分以及在第二切割区域上连接密封部分和虚设卷边部分的多个虚设流道部分。衬底可以包括位于第二切割区域中的粘附力减小焊盘，所述粘附力减小焊盘可以分别接触虚设流道部分。