公开(公告)号：CN119212393A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202410430965.8

申请日：2024-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金刚立 ,  李载德 ,  李世薰 ,  李泽徽 ,  张盛弼

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C5/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子系统，该半导体器件包括：第一基板；布线层，在第一基板上；第二基板，在布线层上并包括导电材料；第一水平导电层和第二水平导电层，依次堆叠在第二基板上并连接到第二基板；栅极堆叠结构，包括交替地堆叠在第二水平导电层上的层间绝缘层和栅电极；沟道结构，穿过栅极堆叠结构并连接到第二基板；第一电容器电极，在与第二基板相同的层上；第二电容器电极，与第一电容器电极重叠；以及第一电介质层，在第一电容器电极和第二电容器电极之间，其中，第二电容器电极在与布线层、第二基板、第一水平导电层和栅电极中的至少一个相同的层上。

公开(公告)号：CN117896988A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310700094.2

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昭贤 ,  张盛弼 ,  李世薰 ,  李载悳 ,  李泽徽

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27

Abstract: 竖直非易失性存储器件可以包括：外围电路部分，包括存储单元驱动电路和连接布线；第一氢扩散阻挡层，位于外围电路部分上方；第一绝缘层，位于第一氢扩散阻挡层上方；公共源极线层，位于第一绝缘层上方；第二氢扩散阻挡层，位于第一绝缘层上方；以及存储单元堆叠结构，位于公共源极线层和第二氢扩散阻挡层上方。

公开(公告)号：CN119604023A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411149955.3

申请日：2024-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世薰 ,  林濬熙 ,  吴浚硕 ,  张盛弼

IPC: H10D84/83 ,  H10D30/60 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40

Abstract: 公开了一种晶体管和包括晶体管的半导体存储器件。所述晶体管包括：衬底，所述衬底包括有源区；所述衬底中的元件隔离膜，所述元件隔离膜限定了所述有源区；位于所述元件隔离膜的下表面上的第一杂质区；位于所述衬底中的第二杂质区；位于所述衬底上并且在第一方向上延伸的栅电极；位于所述栅电极的至少一侧上的源极/漏极区域；位于所述源极/漏极区域上的第一源极/漏极接触组；以及位于所述源极/漏极区域上并且在所述第一方向上与所述第一源极/漏极接触组间隔开的第二源极/漏极接触组，其中所述第二杂质区位于所述第一源极/漏极接触组与所述第二源极/漏极接触组之间。

公开(公告)号：CN115643760A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210827355.2

申请日：2022-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泽徽 ,  李载德 ,  李豪峻 ,  张盛弼

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/20 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：存储器单元区域、包括外围电路区域的第一类型的半导体衬底以及多个传输晶体管，其中，外围电路区包括第一区域和第二区域，第一区域是第二类型，并且包括第一掺杂区域、以及位于第一掺杂区域之下并且被配置为具有比第一掺杂区域高的掺杂浓度的第一阱区域，第二区域是第一类型，并且包括第二掺杂区域、以及位于第二掺杂区域之下并且被配置为具有比第二掺杂区域高的掺杂浓度的第二阱区域，多个传输晶体管之中的位于第一区域上的第一传输晶体管连接到串选择线或接地选择晶体管，多个传输晶体管之中的位于第二区域上的第二传输晶体管连接到字线，其中，正电压或负电压在第二传输晶体管的操作期间被施加到第二阱区域。