公开(公告)号：CN118265300A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311328099.3

申请日：2023-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千相勋 ,  张世熙 ,  韩智勋

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/40 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  G11C11/4063

Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：外围电路结构，其包括外围电路和覆盖外围电路的第一绝缘结构；以及单元阵列结构，其接合到外围电路结构并且包括单元区域和连接区域，其中，单元阵列结构包括公共源极线层、在公共源极线层上的缓冲绝缘层、掩埋在缓冲绝缘层中的多个接触停止层、包括交替地层叠在缓冲绝缘层上的多个栅电极和多个绝缘层的单元层叠物、通过穿过单元层叠物而延伸到公共源极线层的多个单元沟道结构、各自连接到所述多个栅电极中的一个或多个的多个接触结构以及覆盖单元层叠物的第二绝缘结构。

公开(公告)号：CN117858504A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311262983.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩明薰 ,  张世熙 ,  金显浩 ,  韩智勋

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/10 ,  H10B41/10

Abstract: 一种半导体器件包括栅电极结构、存储沟道结构、第一划分图案和第一支撑图案。栅电极结构包括在衬底上沿着垂直于衬底的上表面的第一方向彼此间隔开的栅电极，并且每个栅电极在平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。存储沟道结构在衬底上延伸穿过栅电极结构。第一划分图案在平行于衬底的上表面且与第二方向交叉的第三方向上形成在栅电极结构的侧壁上，并且在第二方向上延伸。第一支撑图案在第一划分图案上沿着第二方向彼此间隔开，并且每个第一支撑图案包括导电材料。

公开(公告)号：CN117896984A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310698983.X

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴芮鉁 ,  金承允 ,  金希锡 ,  金亨珍 ,  张世熙 ,  申旼树 ,  辛承俊 ,  千相勳 ,  韩智勳 ,  沈载煌 ,  安钟善

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50

Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。

公开(公告)号：CN119521670A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410291660.3

申请日：2024-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤智 ,  张世熙 ,  韩智勳

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27

Abstract: 本公开涉及三维(3D)半导体存储器装置和电子系统。示例3D半导体存储器装置包括：包括单元阵列区域和连接区域的基底、其中多个介电层和多个栅电极交替地堆叠在基底上的结构、在连接区域上延伸穿过所述结构的多个虚设垂直结构、以及在连接区域上延伸穿过所述结构并连接到多个栅电极中的一个栅电极的栅极接触件。在平面图中，栅极接触件位于多个虚设垂直结构之间。栅极接触件包括第一部分和在多个虚设垂直结构之间延伸的多个第二部分。