公开(公告)号：CN112309985A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010674997.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允荣 ,  李炳铉 ,  具炳周 ,  金昇辰 ,  朴相在 ,  裵珍宇 ,  李翰杰 ,  崔辅友 ,  洪贤宝

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了制造电容器和半导体器件的方法(即，电容器形成方法和半导体器件形成方法)以及半导体器件和包括该半导体器件的装置。所述电容器形成方法可以包括：在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层；在第二模制层上形成掩模图案；使用掩模图案作为掩模在第二模制层、第一支撑材料层和第一模制层中形成凹部；在凹部中形成下电极；通过干法清洁工艺去除掩模图案；减小下电极的上部的宽度；去除第一模制层；在下电极的表面上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。

公开(公告)号：CN112397384A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010781737.7

申请日：2020-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昇辰 ,  李炳铉 ,  崔允荣 ,  金兑奎 ,  全喜淑 ,  崔辅友 ,  洪贤实

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033

Abstract: 可以提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：准备包括晶片内部区域和晶片边缘区域的基板，该晶片内部区域包括芯片区域和划片槽区域；在基板上依次堆叠模制层和支撑层；在支撑层上形成第一掩模层，第一掩模层包括在晶片边缘区域上的第一台阶区域；在第一台阶区域上形成台阶差补偿图案；在第一掩模层和台阶差补偿图案上形成包括开口的第二掩模图案；以及使用第二掩模图案作为蚀刻掩模依次蚀刻第一掩模层、支撑层和模制层以在至少模制层中形成多个孔。

公开(公告)号：CN111341691A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201910776613.7

申请日：2019-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  李丞浩 ,  崔辅友 ,  高镛璿 ,  沈雨宽

IPC: H01L21/67 ,  B23K26/362

Abstract: 一种基板处理装置包括：旋转卡盘，其上安装有基板，所述旋转卡盘旋转所述基板；化学液体喷嘴和去离子水喷嘴中的至少一个，化学液体喷嘴配置为向基板的表面提供化学液体，去离子水喷嘴配置为向基板的表面提供去离子水；以及激光设备，配置为发射周期为10-9秒或更短的脉冲波激光束以蚀刻基板的边缘。