公开(公告)号：CN101752386A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910261936.9

申请日：2006-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔定赫

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423

Abstract: 公开了一种非易失性存储阵列和闪速EEPROM阵列。一种闪速EEPROM阵列，包括：其中具有第一浮置栅电极的第一行EEPROM单元，和在其中具有第二浮置栅电极的第二行EEPROM单元。该第一浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向第一方向的第一浮置栅电极的第一L形部分。第二浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向与第一方向相反的第二方向的第二浮置栅电极的第二L形部分。

公开(公告)号：CN100438039C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610009420.1

申请日：2006-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹盛纯 ,  金建秀 ,  崔定赫 ,  赵相渊

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 在实施例中，存储器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底。包括位线接触插塞、公共源线、外围栅互连接触插塞、以及外围金属互连接触插塞的插塞由通过相同工艺的导电层构成。同样，包括直接连接到插塞的位线、单元金属互连、外围栅互连和外围金属互连的金属互连通过相同工艺的金属层构成。因此，简化了包括插塞和金属互连的互连结构，并因此简化了它们的形成过程。

公开(公告)号：CN101034720A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610129036.5

申请日：2006-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔定赫

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11524 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

Abstract: 一种闪速EEPROM阵列，包括：其中具有第一浮置栅电极的第一行EEPROM单元，和在其中具有第二浮置栅电极的第二行EEPROM单元。该第一浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向第一方向的第一浮置栅电极的第一L形部分。第二浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向与第一方向相反的第二方向的第二浮置栅电极的第二L形部分。

公开(公告)号：CN1825592A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610009420.1

申请日：2006-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹盛纯 ,  金建秀 ,  崔定赫 ,  赵相渊

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 在实施例中，存储器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底。包括位线接触插塞、公共源线、外围栅互连接触插塞、以及外围金属互连接触插塞的插塞由通过相同工艺的导电层构成。同样，包括直接连接到插塞的位线、单元金属互连、外围栅互连和外围金属互连的金属互连通过相同工艺的金属层构成。因此，简化了包括插塞和金属互连的互连结构，并因此简化了它们的形成过程。