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公开(公告)号：CN101093673B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710085011.4
申请日：2007-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录媒质。该垂直磁记录媒质包括：形成在衬底上的垂直磁记录层；和至少一个软磁衬层，形成在该衬底与垂直磁记录层之间，其中所述软磁衬层由非磁材料和磁材料的合金形成，该磁材料以粒状纳米颗粒的形式存在于非磁材料的基体中，且该磁纳米颗粒以规则间距彼此分隔，从而相互形成反铁磁耦合。在根据本发明的垂直磁记录媒质中，由于形成软磁衬层的磁材料以小颗粒形式存在于非磁基体中且粒状颗粒相互形成反铁磁耦合，因此可以抑制多颗粒畴的形成，从而使软磁衬层的噪声最小化。
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公开(公告)号：CN101009104B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610142804.0
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供了一种构图的介质及其制备方法，该构图的介质包括：数据区域，具有沿着多条轨道排列的多个记录点，其中，每个记录点具有小于2∶1的长宽比；以及非数据区域，该非数据区域是除数据区域之外的构图的介质的部分，具有多个图案标记，其中，每个图案标记具有大于2∶1的长宽比，该长宽比是纵向长度和横向长度的比。
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公开(公告)号：CN101046982A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610166906.6
申请日：2006-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质。该磁记录介质包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。为了增大第二软磁衬层的各向异性场，该第二软磁衬层可具有反铁磁耦合结构。信噪比(SNR)和记录密度可通过分流软磁衬层的磁畴壁产生的磁场且防止磁场到达磁头而显著增大。
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公开(公告)号：CN101009104A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610142804.0
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供了一种构图的介质及其制备方法，该构图的介质包括：数据区域，具有沿着多条轨道排列的多个记录点，其中，每个记录点具有小于2∶1的长宽比；以及非数据区域，该非数据区域是除数据区域之外的构图的介质的部分，具有多个图案标记，其中，每个图案标记具有大于2∶1的长宽比，该长宽比是纵向长度和横向长度的比。
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公开(公告)号：CN101046982B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610166906.6
申请日：2006-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质。该磁记录介质包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。为了增大第二软磁衬层的各向异性场，该第二软磁衬层可具有反铁磁耦合结构。信噪比(SNR)和记录密度可通过分流软磁衬层的磁畴壁产生的磁场且防止磁场到达磁头而显著增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101093673A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710085011.4
申请日：2007-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录媒质。该垂直磁记录媒质包括：形成在衬底上的垂直磁记录层；和至少一个软磁衬层，形成在该衬底与垂直磁记录层之间，其中所述软磁衬层由非磁材料和磁材料的合金形成，该磁材料以粒状纳米颗粒的形式存在于非磁材料的基体中，且该磁纳米颗粒以规则间距彼此分隔，从而相互形成反铁磁耦合。在根据本发明的垂直磁记录媒质中，由于形成软磁衬层的磁材料以小颗粒形式存在于非磁基体中且粒状颗粒相互形成反铁磁耦合，因此可以抑制多颗粒畴的形成，从而使软磁衬层的噪声最小化。
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公开(公告)号：CN101159139B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200710136235.3
申请日：2007-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。该磁记录介质包括：基底；软磁下层，形成在基底上；纹理层，形成在软磁下层上，并包括均匀的图案；记录层，包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域。记录层的磁性颗粒和非磁边界区域根据纹理层的规则的图案通过分离形成规则的粒状结构。因此，可在记录层上形成规则的粒状结构，而不需要例如对记录层进行蚀刻的工艺，从而可显著地提高磁记录介质的记录密度。
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公开(公告)号：CN101159139A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710136235.3
申请日：2007-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。该磁记录介质包括：基底；软磁下层，形成在基底上；纹理层，形成在软磁下层上，并包括均匀的图案；记录层，包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域。记录层的磁性颗粒和非磁边界区域根据纹理层的规则的图案通过分离形成规则的粒状结构。因此，可在记录层上形成规则的粒状结构，而不需要例如对记录层进行蚀刻的工艺，从而可显著地提高磁记录介质的记录密度。
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公开(公告)号：CN101017667A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610148660.X
申请日：2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3929
Abstract: 本发明涉及一种磁致电阻器件，具有衬底、衬层、磁致电阻结构、以及扩散阻挡层。该衬层形成在该衬底上。该磁致电阻结构形成在该衬层上。该扩散阻挡层形成在该衬层和该磁致电阻结构之间。
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