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公开(公告)号：CN110718548B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910238881.3
申请日：2019-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。
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公开(公告)号：CN110931545B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910811500.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍；在衬底上的第一隔离图案；所述第一隔离图案在每个有源鳍的下侧壁上延伸；第三隔离图案，包括延伸到第一隔离图案中的上部和延伸到衬底的上部中的下部，该下部与第三隔离图案的上部接触，并且该下部的下表面的宽度大于该下部的上表面的宽度；以及第二隔离图案，在第三隔离图案下方在衬底中延伸，与第三隔离图案接触，并且具有圆形下表面。
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公开(公告)号：CN110931545A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910811500.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍；在衬底上的第一隔离图案；所述第一隔离图案在每个有源鳍的下侧壁上延伸；第三隔离图案，包括延伸到第一隔离图案中的上部和延伸到衬底的上部中的下部，该下部与第三隔离图案的上部接触，并且该下部的下表面的宽度大于该下部的上表面的宽度；以及第二隔离图案，在第三隔离图案下方在衬底中延伸，与第三隔离图案接触，并且具有圆形下表面。
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公开(公告)号：CN110875393B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910500036.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
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公开(公告)号：CN114664825A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111457413.9
申请日：2021-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一有源图案；填充限定第一有源图案的沟槽的器件隔离层；设置在第一有源图案上的第一沟道图案和第一源极/漏极图案，其中第一沟道图案包括被堆叠并彼此间隔开的半导体图案；延伸并跨越第一沟道图案的栅电极；设置在第一沟道图案和栅电极之间的栅极电介质层；以及设置在器件隔离层和第一有源图案的第一侧壁之间的第一钝化图案。第一钝化图案包括从器件隔离层向上突出的上部和掩埋在器件隔离层中的下部。栅极电介质层覆盖第一钝化图案的上部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875393A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910500036.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底，基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间，与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸，并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间，第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
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公开(公告)号：CN111799329B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010188610.4
申请日：2020-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。
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公开(公告)号：CN112768449A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011122787.0
申请日：2020-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/762
Abstract: 本发明构思涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的第一有源图案和第二有源图案，第一和第二有源图案在第一方向上彼此相邻且第一沟槽在第一有源图案与第二有源图案之间；在衬底上的第三有源图案和第四有源图案，第三有源图案和第四有源图案在第一方向上彼此相邻且第二沟槽在第三有源图案与第四有源图案之间。该半导体器件包括在第一沟槽中的第一器件隔离层和在第二沟槽中的第二器件隔离层。第二沟槽在第一方向上的宽度大于第一沟槽在第一方向上的宽度。第二器件隔离层包括从第二器件隔离层的顶表面突出的第一突起和第二突起。
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公开(公告)号：CN111799329A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010188610.4
申请日：2020-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。
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公开(公告)号：CN110718548A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910238881.3
申请日：2019-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。
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