公开(公告)号：CN112750950A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011153547.7

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敞茂 ,  姜相列 ,  朴瑛琳 ,  徐锺汎 ,  安世衡

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置可以包括接地垫和下电极，下电极位于接地垫上且连接到接地垫并且包括外部部分和在外部部分内部的内部部分。外部部分包括第一区域和第二区域。半导体装置还可以包括下电极的外部部分的第一区域上的介电膜和位于介电膜上的上电极。下电极的外部部分的第一区域可以包括硅(Si)掺杂剂，介电膜不沿着外部部分的第二区域延伸。外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度并且比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。

公开(公告)号：CN112750833A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011169193.5

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敞茂 ,  姜相列 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  安世衡

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置包括：接地垫，位于基底上；下电极，位于接地垫上，下电极电连接到接地垫；介电层，位于下电极上，介电层沿下电极的轮廓延伸；上电极，位于介电层上；以及上板电极，位于上电极上并在其中包括第一氟(F)，其中，上板电极包括面对上电极的界面，并且其中，上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。

公开(公告)号：CN112103290A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010552109.1

申请日：2020-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  安世衡 ,  姜相列 ,  安敞茂 ,  郑圭镐

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的着落焊盘；在着落焊盘上并连接到着落焊盘的下电极，该下电极包括外部分和在外部分内部的内部分，该外部分包括第一区域和第二区域；在下电极上以沿着外部分的第一区域延伸的电介质膜；以及在电介质膜上的上电极，其中下电极的外部分包括金属掺杂剂，外部分的第一区域中的金属掺杂剂的浓度不同于外部分的第二区域中的金属掺杂剂的浓度。

公开(公告)号：CN107464807B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201710407365.X

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安世衡 ,  金润洙 ,  崔在亨 ,  蒋在完 ,  文瑄敏 ,  李珍宣

IPC: H01L27/108

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。

公开(公告)号：CN107464807A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710407365.X

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安世衡 ,  金润洙 ,  崔在亨 ,  蒋在完 ,  文瑄敏 ,  李珍宣

IPC: H01L27/108

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。