公开(公告)号：CN113223572A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011157943.7

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙俊植 ,  金炫中 ,  宋雄哉 ,  安秀雄 ,  赵陞贤 ,  崔志显

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4063 ,  H01L25/065

Abstract: 根据本发明构思的一些示例实施例，提供了一种操作堆叠式存储器件的方法，所述堆叠式存储器件包括沿垂直方向堆叠的多个存储器裸片，所述方法包括：从存储控制器接收命令和地址；通过对所述地址进行译码确定指示所述多个存储器裸片的子集的堆叠ID；以及访问与所述堆叠ID相对应的存储器裸片的所述子集当中的至少两个存储器裸片，所述至少两个存储器裸片是不相邻的。

公开(公告)号：CN106165074B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201480077277.2

申请日：2014-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 ,  孙俊植 ,  安庭奭 ,  李忠善 ,  赵泰济

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/304

Abstract: 提供了制造半导体装置的方法。根据所述方法，可以在载体和装置晶片之间顺序地设置第一粘合层、第一释放层、第二粘合层以及第二释放层。所有第一粘合层、第一释放层、第二粘合层以及第二释放层可以由热固性树脂形成。

公开(公告)号：CN115706096A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210937420.7

申请日：2022-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵升贤 ,  孙俊植 ,  秋喆焕

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/535

Abstract: 一种半导体封装包括顺序地一个堆叠在另一个上的第一、第二、第三和第四半导体芯片。第一、第二、第三和第四半导体芯片中的每个包括包括在第一方向上交替布置的第一组接合焊盘和第二组接合焊盘以及分别选择性地连接到第一组接合焊盘的输入/输出(I/O)电路。第一、第二和第三半导体芯片中的每个包括电连接到第一组接合焊盘的第一组贯穿电极和电连接到第二组接合焊盘的第二组贯穿电极。

公开(公告)号：CN112988059A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011483842.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔志显 ,  金炫中 ,  孙俊植 ,  宋雄哉 ,  安秀雄 ,  赵陞贤

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了存储器装置、电子装置以及存储数据的方法。所述电子装置包括：主机，被配置为输出数据；以及存储器装置，包括存储器存储装置，存储器存储装置被配置为接收数据并存储数据。主机被配置为：根据数据并行化系统生成关于将被提供给存储器装置的数据的数据总线反转(DBI)信息，并且将DBI信息提供给存储器装置，数据并行化系统在存储器装置内部。存储器装置被配置为：将数据提供给存储器存储装置，数据从主机输出，数据根据DBI信息被编码，根据数据并行化系统提供数据。

公开(公告)号：CN106165074A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480077277.2

申请日：2014-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜芸炳 ,  孙俊植 ,  安庭奭 ,  李忠善 ,  赵泰济

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/304

Abstract: 提供了制造半导体装置的方法。根据所述方法，可以在载体和装置晶片之间顺序地设置第一粘合层、第一释放层、第二粘合层以及第二释放层。所有第一粘合层、第一释放层、第二粘合层以及第二释放层可以由热固性树脂形成。