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公开(公告)号：CN111048490A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910317221.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 安庭奭
IPC: H01L25/065 , H01L23/552 , H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体存储装置及其制造方法。制造其中堆叠有多个存储器裸片的半导体存储装置的方法包括在晶片上形成第一存储器裸片。在其上形成有第一存储器裸片的晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第一部分。通过执行半锯切工艺去除底部填充层的留在第一存储器裸片的顶表面上的第一部分，并且在去除底部填充层的第一部分期间，去除第一存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第一空腔。在第一存储器裸片上形成第二存储器裸片。在包括形成在其上的第二存储器裸片的晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第二部分。
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公开(公告)号：CN111048490B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910317221.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 安庭奭
IPC: H10B80/00 , H01L23/552 , H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体存储装置及其制造方法。制造其中堆叠有多个存储器裸片的半导体存储装置的方法包括在晶片上形成第一存储器裸片。在其上形成有第一存储器裸片的晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第一部分。通过执行半锯切工艺去除底部填充层的留在第一存储器裸片的顶表面上的第一部分，并且在去除底部填充层的第一部分期间，去除第一存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第一空腔。在第一存储器裸片上形成第二存储器裸片。在包括形成在其上的第二存储器裸片的晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第二部分。
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公开(公告)号：CN116031214A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211301142.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/16 , H01L25/065 , H01L21/56
Abstract: 提供了一种半导体装置、半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体装置包括：多个半导体芯片，其在竖直方向上堆叠在衬底上；填充物结构，其包括形成在多个半导体芯片中的邻近的半导体芯片之间以及衬底与半导体芯片的堆叠件之间的多个水平底部填充层，并且包括形成在水平底部填充层和多个半导体芯片周围的底部填充侧壁；以及模制树脂，其至少在半导体芯片的侧表面上包围多个半导体芯片。底部填充侧壁包括凹陷图案，凹陷图案设置在多个半导体芯片中的至少一个的侧表面上并且沿着多个半导体芯片中的至少一个的侧表面设置，并且在凹陷图案与衬底交汇的位置处在平行于衬底的上表面的方向上凹进。
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公开(公告)号：CN115763448A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210913372.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/18 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装，包括衬底、堆叠在该衬底上的多个半导体器件、位于该多个半导体器件的侧表面上的底部填充圆角、以及围绕该多个半导体器件的模塑树脂。底部填充圆角的最上端包括与多个半导体器件中的最上方半导体器件的外围的上表面共面的平坦表面，并且模塑树脂完全覆盖该平坦表面。
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