公开(公告)号：CN103633093A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN103633093B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201310379353.2

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽中 ,  孔榠浒 ,  朴嬉淑 ,  朴英郁 ,  姜晚锡 ,  郑圣熙

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线，其中，第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图案与第一导电图案的下界面处提供接触，以及配置为在金属硅氮化物图案与第二导电图案的上界面处提供扩散屏障。

公开(公告)号：CN103035646A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210367959.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  姜晚锡 ,  朴嬉淑 ,  孙雄喜

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供了包括含金属导线的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，其中具有沟槽；含金属阻挡层，沿沟槽的内壁延伸并定义沟槽中的布线空间，该布线空间具有沿第一方向的第一宽度；以及含金属导线，在含金属阻挡层上且在布线空间中，并包括具有沿第一方向的大约第一宽度的颗粒直径的至少一个金属颗粒。