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公开(公告)号：CN118335715A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410031426.7
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置包括：装置结构，其包括第一半导体衬底，并且具有在第一方向上延伸的有源图案；导电贯穿件，其电连接到前布线层并且穿透第一半导体衬底，其中第一半导体衬底具有非平坦化的下表面，在非平坦化的下表面中，导电贯穿件周围的外围区域向下弯曲；第一接合结构，其具有平坦化的绝缘层，平坦化的绝缘层设置在第一半导体衬底的第二表面上并且具有平坦化的上表面。
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