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公开(公告)号：CN1577912A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062148.4
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/20 , H01L51/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L51/0052 , H01L51/0529 , H01L51/0537
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)，包括：顺序地形成在衬底上的栅电极、栅绝缘膜、有机有源层和源/漏电极，或者栅电极、栅绝缘膜、源/漏电极和有机有源层，其特征在于该栅绝缘膜是多层绝缘体，所述多层绝缘体包含高介电材料的第一层和能与该有机有源层相容的绝缘有机聚合物的第二层，所述第二层被直接放置在该有机有源层之下。本发明所述OTFT显示了低阈值和驱动电压、高电荷迁移率、高Ion/Ioff值，并且，还能通过湿法工艺制备。
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公开(公告)号：CN1511863A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n－型半导体性能的单元与一种表示p－型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN100390232C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410100228.4
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02118 , C08G61/124 , C08G73/0611 , C08L79/04 , C09D159/00 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , H01B3/442 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L51/052
Abstract: 本发明公开了用于形成有机绝缘薄膜的组合物和由这种组合物形成的有机绝缘薄膜。所述的组合物包括具有马来酰亚胺结构的绝缘聚合物、交联剂和光酸发生剂以便形成交联结构。有机绝缘薄膜对随后光刻过程中使用的有机溶剂有优异的耐化学性并能提高晶体管的电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1622362A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095369.1
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0081 , H01L51/0097 , H01L51/052 , H01L51/10 , H01L51/5237 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种包含衬底、栅极、栅极绝缘层、有机半导体层、源极－漏极和保护层的有机薄膜晶体管，其中在有机半导体层和保护层之间插入缓冲层。该晶体管使得因含有氧气和湿气的环境气体所引起的对晶体管性能的劣化和安装显示器件期间所引起的晶体管性能的下降减至最小。
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公开(公告)号：CN1637066A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410100228.4
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02118 , C08G61/124 , C08G73/0611 , C08L79/04 , C09D159/00 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , H01B3/442 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L51/052
Abstract: 本发明公开了用于形成有机绝缘薄膜的组合物和由这种组合物形成的有机绝缘薄膜。所述的组合物包括具有马来酰亚胺结构的绝缘聚合物、交联剂和光酸发生剂以便形成交联结构。有机绝缘薄膜对随后光刻过程中使用的有机溶剂有优异的耐化学性并能提高晶体管的电性能。
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公开(公告)号：CN100406497C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410098365.9
申请日：2004-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/0694 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了在聚合物主链中含有喹喔啉环的有机薄膜晶体管用复合结构有机半导体聚合物。根据有机半导体聚合物，由于具有n型半导体特性如高电子亲合性的喹喔啉环被结合到具有p型半导体特性的聚噻吩上，有机半导体聚合物同时表现出p型和n型半导体特性。另外，聚噻吩基喹喔啉衍生物表现出高的有机溶剂溶解性、同面性和空气稳定性。此外，当聚噻吩基喹喔啉衍生物用作有机薄膜晶体管的活性层时，有机薄膜晶体管表现出高电荷载流子迁移率和低关态漏电流。
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公开(公告)号：CN1322030C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n-型半导体性能的单元与一种表示p-型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1663981A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410098365.9
申请日：2004-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/0694 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了在聚合物主链中含有喹喔啉环的有机薄膜晶体管用复合结构有机半导体聚合物。根据有机半导体聚合物，由于具有n型半导体特性如高电子亲合性的喹喔啉环被结合到具有p型半导体特性的聚噻吩上，有机半导体聚合物同时表现出p型和n型半导体特性。另外，聚噻吩基喹喔啉衍生物表现出高的有机溶剂溶解性、同面性和空气稳定性。此外，当聚噻吩基喹喔啉衍生物用作有机薄膜晶体管的活性层时，有机薄膜晶体管表现出高电荷载流子迁移率和低关态漏电流。
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