公开(公告)号：CN110890375B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910461808.2

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑煐陈 ,  印炯烈 ,  曹诚汉

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 一种三维半导体器件包括经过第一沟道结构和第二沟道结构之间以及第一虚设沟道结构和第二虚设沟道结构之间的公共源极线，其中公共源极线和第一沟道结构之间在第一方向上的距离等于公共源极线和第二沟道结构之间在第一方向上的距离，并且公共源极线和第一虚设沟道结构之间在第一方向上的距离不同于公共源极线和第二虚设沟道结构之间在第一方向上的距离。

公开(公告)号：CN110890375A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910461808.2

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑煐陈 ,  印炯烈 ,  曹诚汉

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种三维半导体器件包括经过第一沟道结构和第二沟道结构之间以及第一虚设沟道结构和第二虚设沟道结构之间的公共源极线，其中公共源极线和第一沟道结构之间在第一方向上的距离等于公共源极线和第二沟道结构之间在第一方向上的距离，并且公共源极线和第一虚设沟道结构之间在第一方向上的距离不同于公共源极线和第二虚设沟道结构之间在第一方向上的距离。

公开(公告)号：CN113471208A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110346429.6

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.郑 ,  金英宇 ,  金宰成 ,  印炯烈

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。

公开(公告)号：CN215220721U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120661877.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.郑 ,  金英宇 ,  金宰成 ,  印炯烈

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 本实用新型提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。