公开(公告)号：CN101510553B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910006369.2

申请日：2009-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金弘基 ,  李德炯 ,  卢铉弼

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板，其具有传感器阵列区域和外围电路区域；第一绝缘膜结构，其形成于外围电路区域上，该第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路；以及第二绝缘膜结构，其形成于传感器阵列区域上，该第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路。多个第一多层布线线路的最上层布线线路比多个第二多层布线线路的最上层布线线路高。第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层，第二绝缘膜结构不包括各向同性蚀刻终止层。

公开(公告)号：CN110034139B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201910004072.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢铉弼 ,  李昌根 ,  柳济元 ,  李康仙

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外，该图像传感器包括光屏蔽壁结构，该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。

公开(公告)号：CN115995477A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211310870.X

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢铉弼

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种图像传感器可以包括：半导体基板，包括第一表面和第二表面，并且还包括光电转换区；掩埋栅极结构，设置在从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中的掩埋栅极沟槽中；浮置扩散区，包括第一类型杂质并在掩埋栅极结构的一侧设置在半导体基板中；接触，在浮置扩散区上方设置在半导体基板的第一表面上；以及接触屏障区，包括第二类型杂质并在半导体基板中设置在接触和浮置扩散区之间。

公开(公告)号：CN110034139A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910004072.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢铉弼 ,  李昌根 ,  柳济元 ,  李康仙

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外，该图像传感器包括光屏蔽壁结构，该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。

公开(公告)号：CN103137621B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210486721.9

申请日：2012-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  卢铉弼 ,  李忠浩 ,  咸锡宪

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/8236 ,  H01L21/77 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L25/00 ,  H01L27/00 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括高压晶体管和低压晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，包括高压区和低压区；高压晶体管，形成在高压区中并包括第一有源区、第一源/漏区、第一栅绝缘层和第一栅电极；以及低压晶体管，形成在低压区中并包括第二有源区、第二源/漏区、第二栅绝缘层和第二栅电极。第二源/漏区具有比所述第一源/漏区的厚度小的厚度。

公开(公告)号：CN103137621A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210486721.9

申请日：2012-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  卢铉弼 ,  李忠浩 ,  咸锡宪

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/8236 ,  H01L21/77 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L25/00 ,  H01L27/00 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括高压晶体管和低压晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，包括高压区和低压区；高压晶体管，形成在高压区中并包括第一有源区、第一源/漏区、第一栅绝缘层和第一栅电极；以及低压晶体管，形成在低压区中并包括第二有源区、第二源/漏区、第二栅绝缘层和第二栅电极。第二源/漏区具有比所述第一源/漏区的厚度小的厚度。

公开(公告)号：CN101510553A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910006369.2

申请日：2009-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金弘基 ,  李德炯 ,  卢铉弼

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板，其具有传感器阵列区域和外围电路区域；第一绝缘膜结构，其形成于外围电路区域上，该第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路；以及第二绝缘膜结构，其形成于传感器阵列区域上，该第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路。多个第一多层布线线路的最上层布线线路比多个第二多层布线线路的最上层布线线路高。第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层，第二绝缘膜结构不包括各向同性蚀刻终止层。