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公开(公告)号:CN110034139A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201910004072.6
申请日:2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体基板,该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外,该图像传感器包括光屏蔽壁结构,该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。
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公开(公告)号:CN110034139B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN201910004072.6
申请日:2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体基板,该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外,该图像传感器包括光屏蔽壁结构,该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。
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