公开(公告)号：CN120018491A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411096160.0

申请日：2024-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞诚载 ,  金时年 ,  李元锡 ,  李周昊

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：在衬底上在第一方向上延伸的位线；在位线上在第二方向上延伸的第一绝缘图案；沟道图案，接触第一绝缘图案的侧壁和位线，并包括氧化物半导体材料；字线，在第二方向上延伸并与沟道图案间隔开；在沟道图案和字线之间的栅极绝缘图案；在字线和栅极绝缘图案上的第二绝缘图案；以及电连接到沟道图案的着落焊盘。沟道图案的在栅极绝缘图案和位线之间的第二部分可以比沟道图案的可以在栅极绝缘图案和第一绝缘图案之间的第一部分厚。第二方向可以与第一方向交叉。

公开(公告)号：CN119277777A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410696461.0

申请日：2024-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周昊 ,  柳民泰 ,  朴荣奭 ,  卞诚载 ,  宋映槿

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其包括：衬底；设置在所述衬底上的导电线；在导电线上沿第一方向延伸并部分地覆盖导电线的水平沟道部分；设置在水平沟道部分上的分离绝缘层；包括在导电线上的第一部分和在垂直于衬底的第二方向上延伸的第二部分的栅极绝缘层；在栅极绝缘层和分离绝缘层之间的垂直沟道部分，垂直沟道部分在第二方向上延伸；以及在栅极绝缘层的第一部分上的间隔物。包含在水平沟道部分中的第一材料不同于包含在垂直沟道部分中的第二材料。

公开(公告)号：CN119907235A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410800375.X

申请日：2024-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炯纪 ,  卞诚载

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了包括垂直沟道晶体管的半导体器件。所述半导体器件包括：模制绝缘图案，位于基底上；上导线，在基底上在第一水平方向上延伸；沟道结构，包括垂直沟道部分，垂直沟道部分面对上导线的侧表面并且与模制绝缘图案的第一侧壁接触，其中，垂直沟道部分在垂直方向上延伸；第一栅极介电层，至少部分地围绕沟道结构的表面；以及第二栅极介电层，位于沟道结构上的上导线与第一栅极介电层之间，其中，模制绝缘图案包括主体和突起，其中，主体在第一水平方向上延伸，并且突起在与第一水平方向相交的第二水平方向上突出。

公开(公告)号：CN119029046A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410593504.2

申请日：2024-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞诚载 ,  宋映槿 ,  李元锡 ,  李周昊

IPC: H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的沟道图案，沟道图案具有在垂直于衬底的表面的垂直方向上延伸的侧壁和在水平方向上连接彼此面对的两个侧壁的下部的下部；栅极绝缘层图案和第一导电层图案，顺序地横向堆叠在沟道图案的内侧壁上；以及第二导电层图案，至少接触沟道图案的最上表面和上外侧壁，第二导电层图案与第一导电层图案间隔开。

公开(公告)号：CN119521656A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410729145.9

申请日：2024-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周昊 ,  李侑烈 ,  金承贤 ,  卞诚载 ,  洪成德

IPC: H10B12/00 ,  H10D62/17

Abstract: 提供了半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：位线，其在衬底上；突出绝缘图案，其在位线上并在沟道沟槽中；第一沟道图案和第二沟道图案，其沿着沟道沟槽的侧壁延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；沟道界面层，其沿着沟道沟槽的侧壁延伸，并且与第一沟道图案和第二沟道图案接触；第一字线，其在第一沟道图案和第二沟道图案之间；第二字线，其在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在第一方向上与第一字线间隔开；以及第一电容器和第二电容器，其分别电连接到第一沟道图案和第二沟道图案。

公开(公告)号：CN119497378A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410939954.2

申请日：2024-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金时年 ,  卞诚载

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体存储装置。该半导体存储装置包括在衬底上在第一方向上延伸的第一位线、在第一位线上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的字线、在第一位线和字线之间并沿着字线的第一侧壁延伸的第一沟道图案、以及在第一沟道图案上的第一接触图案，其中，在第二方向上沿着第一沟道图案截取的截面图中，第一接触图案包括在第一沟道图案上的连接部分和连接到连接部分并沿着第一沟道图案的侧壁延伸的突出部分。

公开(公告)号：CN119031704A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410136169.3

申请日：2024-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周昊 ,  卞诚载 ,  李元锡 ,  李全一

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H01L29/45 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/16

Abstract: 一种半导体存储器件包括：位线，所述位线在衬底上并且在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；沟道图案，所述沟道图案连接到所述位线的顶表面并且在垂直于所述衬底的顶表面的第二方向上延伸；在所述沟道图案上的第一漏极图案；第一字线，所述第一字线与所述第一漏极图案的下部部分和所述沟道图案相邻；以及在所述第一漏极图案的所述第下部部分和所述第第一字线之间以及在所述沟道图案和所述第一字线之间的栅极绝缘层。所述第一漏极图案的第一材料的能带隙大于所述沟道图案的第二材料的能带隙。

公开(公告)号：CN115130418A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210146758.0

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相运 ,  全柱炫 ,  金性珍 ,  金承贤 ,  卢元基 ,  朴彻佑 ,  卞诚载 ,  安泰玧 ,  郑孝恩

IPC: G06F30/39 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法。所述对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法包括：获得粒子信息和晶体信息；基于粒子信息和晶体信息，估计入射粒子的能量损失；基于能量损失，估计空位的体积；基于晶体信息和空位的体积，估计空位反应；以及基于空位反应生成输出数据，输出数据包括所述损伤的量化数据。