公开(公告)号：CN1518134A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03158948.0

申请日：2003-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庭旭 ,  刘址范 ,  孙哲守 ,  成演准

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种制造高效半导体器件的方法。该方法包括：(a)在衬底上顺序叠置第一半导体层、掩模层和金属层；(b)使金属层阳极氧化以将金属层转变成包括多个纳米孔的金属氧化物层；(c)利用金属氧化物层作为蚀刻掩模蚀刻掩模层，直到纳米孔延伸到第一半导体层的表面；(d)去除金属氧化物层；以及(e)在掩模层和第一半导体层上沉积第二半导体层。本发明减小了缺陷密度，并促进了均匀的缺陷分布。

公开(公告)号：CN116893569A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310167932.4

申请日：2023-02-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金文子 ,  刘址范 ,  南基捧 ,  呂振浩 ,  丁昶荣 ,  胡启诚

IPC: G03F1/72 ,  G03F1/64 ,  G03F1/68

Abstract: 一种制造薄膜结构的方法，包括：在临时衬底上形成金属层；在金属层上形成隔膜；通过将临时衬底与金属层分离来暴露金属层的底表面；以及通过蚀刻金属层的暴露的底表面来暴露隔膜的底表面。

公开(公告)号：CN117250824A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310215581.X

申请日：2023-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金文子 ,  南基捧 ,  吕振浩 ,  刘炳哲 ,  刘址范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22 ,  H01L21/033

Abstract: 提供了用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法。所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C‑O‑C键。