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公开(公告)号：CN117729769A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311097211.7
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L21/768 , G11C11/34 , G11C11/4063
Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上的S/A电路、位线、栅电极、栅极绝缘图案、沟道、上接触插塞和电容器。位线包括在第二方向上顺序地布置的第一位线、第二位线、第三位线和第四位线。第一下接触插塞、第一下布线和第二下接触插塞在第三方向上顺序地堆叠在S/A电路与第一位线之间，并且电连接到S/A电路和第一位线。第三下接触插塞、第二下布线和第四下接触插塞在第三方向上顺序地堆叠在S/A电路与第三位线之间，并且电连接到S/A电路和第三位线。第一下布线和第二下布线处于彼此不同的水平高度处。
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