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公开(公告)号：CN117293163A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310745539.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区，在基板上在第一方向上延伸；多个半导体层，在有源区上在垂直方向上彼此间隔开，所述多个半导体层包括下半导体层和上半导体层；栅极结构，在基板上在第二方向上延伸以与有源区和所述多个半导体层交叉；以及源极/漏极区，在有源区上并接触所述多个半导体层。源极/漏极区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层包括在下半导体层的侧表面上的第一层和提供在有源区上并接触有源区的第二层，第二外延层在第一方向上接触上半导体层的侧表面，并且第一层在第二外延层与下半导体层的侧表面之间。
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