公开(公告)号：CN118263119A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311387059.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任仁范 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过曝光第一PR层的第一场区域来形成第一光刻胶(PR)图案，通过曝光第二PR层的第一顶部场区域和第一底部场区域来形成第二PR图案，测量第一顶部场区域的第一顶部场内叠加和第一底部场区域的第一底部场内叠加，以及分别基于第一顶部场内叠加和第一底部场内叠加来确定顶部场内校正参数和底部场内校正参数。

公开(公告)号：CN117912975A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311145969.3

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任仁范 ,  尹俊盛 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄燦

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种选择用于重叠测量的多波长、以准确地测量重叠的方法，以及使用多波长的重叠测量方法和半导体器件制造方法。选择用于重叠测量的多波长的方法包括：在设置的第一波长范围内的多个波长中的每一个波长，在晶片上的多个位置处测量重叠；从多个波长中选择模拟多个波长的重叠的代表性波长；以及分别向代表性波长分配权重。

公开(公告)号：CN117850177A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311227092.2

申请日：2023-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汀镇 ,  任仁范

IPC: G03F9/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/308 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了校正套刻和控制半导体工艺的方法以及半导体处理设备。所述校正套刻的方法包括：通过将从第一掩模反射的极紫外光照射到第一层而在多个第一射击区域中形成第一图案；通过将从第二掩模反射的极紫外光照射到第二层而在多个第二射击区域中的每个中形成第二图案；将一对第二射击区域与每个第一射击区域匹配；以及生成用于校正第二图案的套刻误差的第一校正参数和第二校正参数，其中，第一校正参数被配置为基于与每个第二射击区域匹配的第一射击区域来校正每个第二射击区域的套刻误差，并且第二校正参数被配置为校正与每个第一射击区域匹配的一对第二射击区域之间的套刻误差。