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公开(公告)号：CN104379255A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380029240.8
申请日：2013-06-03
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B01J23/80 , B01J37/08 , C07B61/00 , C07C29/154 , C07C31/04
CPC classification number: B01J23/80 , B01J35/002 , B01J35/1014 , B01J37/031 , B01J37/08 , B01J2523/00 , C07C29/154 , Y02P20/52 , C07C31/04 , B01J2523/17 , B01J2523/27 , B01J2523/31 , B01J2523/41
Abstract: 本发明的课题在于提供一种催化剂，所述催化剂用于由二氧化碳和氢得到甲醇的方法，其不仅具有高活性，而且反应性的经时稳定性也优异。本发明涉及一种甲醇制造用催化剂及使用该甲醇制造用催化剂的甲醇的制造方法，所述甲醇制造用催化剂包含铜、锌、铝及硅，锌相对于铜的摩尔比为0.5～0.7，硅相对于铜的摩尔比为0.015～0.05，利用XRD测得的来自锌的峰与来自铜的峰的最大强度之比为0.25以下，以及，利用XRD测得的来自铜的峰的半峰宽(2θ)为0.75～2.5。
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公开(公告)号：CN102316983B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201080007274.3
申请日：2010-02-15
Applicant: 三井化学株式会社
CPC classification number: C07C29/154 , B01J23/002 , B01J23/72 , B01J23/80 , B01J35/002 , B01J35/1014 , B01J37/0009 , B01J37/031 , B01J37/06 , B01J37/18 , B01J2523/00 , Y02P20/52 , C07C31/04 , B01J2523/17 , B01J2523/27 , B01J2523/31 , B01J2523/41 , B01J2523/48
Abstract: 本发明提供一种铜基催化剂的制造方法，所述铜基催化剂的催化活性良好、且耐久性显著优异、重现性良好。所述铜基催化剂的制造方法是由以氧化铜作为必需成分的金属氧化物构成的催化剂的制造方法，特征在于包括下述工序：工序(1)使含有铜的酸性金属盐溶液与沉淀剂溶液接触，得到含有催化剂前体的沉淀物的浆料溶液；工序(2)使浆料溶液与洗涤液连续地接触，实质上保持悬浮状态，洗涤沉淀物。
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公开(公告)号：CN104379255B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380029240.8
申请日：2013-06-03
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B01J23/80 , B01J37/08 , C07B61/00 , C07C29/154 , C07C31/04
CPC classification number: B01J23/80 , B01J35/002 , B01J35/1014 , B01J37/031 , B01J37/08 , B01J2523/00 , C07C29/154 , Y02P20/52 , C07C31/04 , B01J2523/17 , B01J2523/27 , B01J2523/31 , B01J2523/41
Abstract: 本发明的课题在于提供一种催化剂，所述催化剂用于由二氧化碳和氢得到甲醇的方法，其不仅具有高活性，而且反应性的经时稳定性也优异。本发明涉及一种甲醇制造用催化剂及使用该甲醇制造用催化剂的甲醇的制造方法，所述甲醇制造用催化剂包含铜、锌、铝及硅，锌相对于铜的摩尔比为0.5～0.7，硅相对于铜的摩尔比为0.015～0.05，利用XRD测得的来自锌的峰与来自铜的峰的最大强度之比为0.25以下，以及，利用XRD测得的来自铜的峰的半峰宽(2θ)为0.75～2.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1681737A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821314.1
申请日：2003-09-08
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C01B33/12 , H01L21/316 , C09D183/02 , C09D183/04
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明为一种主要由Si－O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si－X－Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si－A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1212266C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN01801051.2
申请日：2001-04-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C01B33/12 , C09D183/02 , C09D183/08 , H01L21/316 , H01L21/312
CPC classification number: C01B33/124 , B01J20/103 , B01J20/2809 , B82Y30/00 , C01P2002/70 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C01P2006/17 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C01P2006/90 , C08J9/0004 , C08J2300/14 , C09C1/3045 , C09D183/02 , C09D183/08 , H01L21/31695 , Y10T428/264 , Y10T428/265
Abstract: 合成的孔隙均匀的防水性多孔二氧化硅，该二氧化硅包括硅石骨架，其中氟原子通过共价键固定，并且碱金属含量不超过10ppb。用该防水性多孔二氧化硅，防水性多孔二氧化硅膜具有均匀的孔隙，适用于光功能性材料或电子功能性材料，还提供了该物质的制备方法，和它的用途。
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公开(公告)号：CN111918718A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201980022569.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B01J35/10 , B01J27/232 , B01J32/00 , C07C2/10 , C07C11/113 , C07B61/00
Abstract: 一种多孔质成型体(Y)及其制造方法、α‑烯烃二聚化用催化剂及其制造方法、以及α‑烯烃二聚体的制造方法，所述多孔质成型体(Y)含有满足(x‑1)～(x‑3)的多孔质成型体(X)、以及碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐，且碱金属碳酸盐或碱金属碳酸氢盐的含有率相对于多孔质成型体(X)100质量份为1质量份～230质量份的范围。(x‑1)细孔直径处于0.01μm～100μm的范围的细孔的细孔容积为0.10mL/g～1.00mL/g；(x‑2)细孔直径处于0.01μm～100μm的范围的细孔的中值细孔径超过0.01μm且为10.0μm以下；(x‑3)压碎强度为0.7kgf～15.0kgf。
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公开(公告)号：CN105813738B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480068134.5
申请日：2014-12-10
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B01J27/232 , B01J32/00 , B01J35/04 , B01J37/04 , B01J37/08 , C07C2/14 , C07C11/113 , C07B61/00
CPC classification number: B01J27/232 , B01J21/18 , B01J23/04 , B01J27/236 , B01J35/002 , B01J35/1038 , B01J35/1066 , B01J35/1071 , B01J35/1076 , B01J35/12 , B01J37/023 , B01J37/04 , B01J37/08 , C07C2/14 , C07C2/24 , C07C2521/18 , C07C2523/04 , C07C2527/232 , C07C11/113
Abstract: 一种成型体，其包含选自Na2CO3和K2CO3中的至少1种碳酸化合物(A1)，细孔直径在0.05μm～10μm的范围的细孔容积为0.10mL/g～0.30mL/g，并且压碎强度为1.8kgf～10.0kgf。
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公开(公告)号：CN101238556B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200680028669.5
申请日：2006-08-10
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。
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