公开(公告)号：CN114916228A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202080084740.1

申请日：2020-12-15

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李孝元 ,  李丞苡 ,  杨丞浩 ,  朴宰成 ,  黄炳辰 ,  张逢中

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及金属氧化物烧结体。本发明作为实施例提供一种氧化物烧结体，由包括MoO2与MoO3的钼氧化物70～90％及Nb2O5、Ta2O5、ZrO2、TiO2、SnO2、WO3中至少任意一种成分10％～30％混合而成，所述钼氧化物中MoO2的含量为钼氧化物的50～94.1％。

公开(公告)号：CN119137085A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380014461.1

申请日：2023-11-30

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 张逢中 ,  朴宰成 ,  李孝元 ,  李丞苡 ,  黃炳辰 ,  朴相容 ,  尹垠燮 ,  秦承铉 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供钼基氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材及由其形成的氧化物薄膜。在本发明中，向难烧结性钼氧化物和铌氧化物以规定含量范围加入特定掺杂剂，即使实施无压烧结也能够同时确保烧结性改善、高密度特性、通过控制粒子生长的薄膜的均匀性、低反射及低电阻特性。

公开(公告)号：CN118792667A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311123119.3

申请日：2023-09-01

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社 ,  LT金属株式会社

Inventor： 朴泳俊 ,  李必泳 ,  杨丞浩 ,  申载官 ,  洪善基 ,  赵贤贞 ,  朴孝允 ,  李圣源

IPC: C25B9/23 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明涉及多孔基材层及其制造方法和制造装置，所述多孔基材层包括堆叠于膜电极组件(MEA)的基材层主体和设置于基材层主体的面向膜电极组件的一个表面的突起图案，所述突起图案配置为定义用于引导目标流体在膜电极组件与基材层主体之间的移动的导流路径，从而获得提高性能和工作效率的有利效果。

公开(公告)号：CN118119574A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280068863.5

申请日：2022-10-14

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 黃炳辰 ,  李丞苡 ,  李孝元 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786 ,  H10K59/00

Abstract: 本发明提供一种以钼氧化物为主要成分的氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜。在本发明中，通过在难以烧结的钼氧化物以及铌氧化物中添加规定范围的特定(准)金属氧化物，从而即使进行无压烧结也可以改善烧结性并确保高密度特性。

公开(公告)号：CN115925414B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202211128988.0

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李孝元 ,  李丞苡 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

公开(公告)号：CN115819083B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202211128996.5

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李丞苡 ,  李孝元 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

公开(公告)号：CN115819083A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211128996.5

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李丞苡 ,  李孝元 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

公开(公告)号：CN114916228B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202080084740.1

申请日：2020-12-15

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李孝元 ,  李丞苡 ,  杨丞浩 ,  朴宰成 ,  黄炳辰 ,  张逢中

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及金属氧化物烧结体。本发明作为实施例提供一种氧化物烧结体，由包括MoO2与MoO3的钼氧化物75～90wt％及Nb2O5、Ta2O5、ZrO2、TiO2、SnO2、WO3中至少任意一种成分10％～25wt％混合而成，所述钼氧化物中MoO2的含量为钼氧化物的50～94.1wt％。

公开(公告)号：CN115925414A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211128988.0

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李孝元 ,  李丞苡 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

公开(公告)号：CN118119575A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280069188.8

申请日：2022-10-14

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 黃炳辰 ,  李丞苡 ,  李孝元 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786 ,  H10K59/00

Abstract: 本发明提供一种以钼氧化物为主要成分的氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜。在本发明中，通过在难以烧结的钼氧化物以及铌氧化物中添加规定范围的特定(准)金属氧化物，从而即使进行无压烧结也可以改善烧结性并确保高密度特性。