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公开(公告)号：CN118119575A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280069188.8
申请日：2022-10-14
Applicant: LT金属株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01L29/786 , H10K59/00
Abstract: 本发明提供一种以钼氧化物为主要成分的氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜。在本发明中，通过在难以烧结的钼氧化物以及铌氧化物中添加规定范围的特定(准)金属氧化物，从而即使进行无压烧结也可以改善烧结性并确保高密度特性。
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公开(公告)号：CN119137085A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380014461.1
申请日：2023-11-30
Applicant: LT金属株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/64 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供钼基氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材及由其形成的氧化物薄膜。在本发明中，向难烧结性钼氧化物和铌氧化物以规定含量范围加入特定掺杂剂，即使实施无压烧结也能够同时确保烧结性改善、高密度特性、通过控制粒子生长的薄膜的均匀性、低反射及低电阻特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115925414A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211128988.0
申请日：2022-09-16
Applicant: LT金属株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。
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公开(公告)号：CN118119574A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280068863.5
申请日：2022-10-14
Applicant: LT金属株式会社
IPC: C04B35/495 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01L29/786 , H10K59/00
Abstract: 本发明提供一种以钼氧化物为主要成分的氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜。在本发明中，通过在难以烧结的钼氧化物以及铌氧化物中添加规定范围的特定(准)金属氧化物，从而即使进行无压烧结也可以改善烧结性并确保高密度特性。
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公开(公告)号：CN115925414B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202211128988.0
申请日：2022-09-16
Applicant: LT金属株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。
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公开(公告)号：CN115819083A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211128996.5
申请日：2022-09-16
Applicant: LT金属株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。
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