-
公开(公告)号：CN119137085A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380014461.1
申请日：2023-11-30
Applicant: LT金属株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/64 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供钼基氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材及由其形成的氧化物薄膜。在本发明中，向难烧结性钼氧化物和铌氧化物以规定含量范围加入特定掺杂剂，即使实施无压烧结也能够同时确保烧结性改善、高密度特性、通过控制粒子生长的薄膜的均匀性、低反射及低电阻特性。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
