公开(公告)号：CN118119575A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280069188.8

申请日：2022-10-14

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 黃炳辰 ,  李丞苡 ,  李孝元 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786 ,  H10K59/00

Abstract: 本发明提供一种以钼氧化物为主要成分的氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜。在本发明中，通过在难以烧结的钼氧化物以及铌氧化物中添加规定范围的特定(准)金属氧化物，从而即使进行无压烧结也可以改善烧结性并确保高密度特性。

公开(公告)号：CN115925414A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211128988.0

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李孝元 ,  李丞苡 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

公开(公告)号：CN118119574A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280068863.5

申请日：2022-10-14

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 黃炳辰 ,  李丞苡 ,  李孝元 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786 ,  H10K59/00

Abstract: 本发明提供一种以钼氧化物为主要成分的氧化物烧结体、包含上述烧结体的溅射靶材以及由此形成的氧化物薄膜。在本发明中，通过在难以烧结的钼氧化物以及铌氧化物中添加规定范围的特定(准)金属氧化物，从而即使进行无压烧结也可以改善烧结性并确保高密度特性。

公开(公告)号：CN115925414B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202211128988.0

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李孝元 ,  李丞苡 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

公开(公告)号：CN115819083B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202211128996.5

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李丞苡 ,  李孝元 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

公开(公告)号：CN115819083A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211128996.5

申请日：2022-09-16

Applicant: LT金属株式会社

Inventor： 李丞苡 ,  李孝元 ,  黃炳辰 ,  张逢中 ,  田奉埈 ,  秦承铉 ,  朴宰成 ,  杨丞浩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。