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公开(公告)号：CN119730979A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380062988.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田通商株式会社
Abstract: 本发明提供能够有效或简易地得到Al基颗粒的制造方法。根据本发明，通过使Al基箔与熔融盐接触，从而得到在熔融盐中分散有Al基颗粒（液相）的颗粒分散熔融盐（Al基材的一例）。如果通过颗粒分散熔融盐，则例如可以有效或简易地得到包括Al基颗粒（固相）的Al基粉末（Al基材的一例）。如果对Al基颗粒组进行分级，则也能够得到期望的粒度分布的Al基粉末。Al基箔例如其厚度为0.5mm以下，进一步为0.1mm。Al基箔可以作为被切碎的箔片向熔融盐供给。由此，容易得到包含微细颗粒的粒度分布的Al基粉末。熔融盐例如可以使用包含NaCl和KCl的混合盐。
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公开(公告)号：CN118043510A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280066743.1
申请日：2022-10-07
Applicant: 株式会社AETEC-α , 丰田通商株式会社 , 丰通维特科思株式会社
Inventor： 岩田康二
Abstract: 为了增强发泡成形品而与发泡成形材料接合的在发泡成形品用增强材料中使用的无纺布是经层积的网相互结合而成的单层材料，在7g/cm2的负荷下的厚度为1～8mm，层间剥离强度为0.05～2.45N/cm。层间剥离强度是使经结合的网之间相互剥离所需要的拉力的值。
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公开(公告)号：CN115612870B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210809300.9
申请日：2022-07-11
Applicant: 丰田通商株式会社
Abstract: 本发明涉及Mg除去剂以及铝合金的制造方法。提供一种用于从铝合金熔体中除去Mg的Mg除去剂。本发明为由氯化物和铜氧化物构成的Mg除去剂。氯化物至少包含选自K、Na和Ca中的一种以上的基础金属元素和Mg。相对于其整体，氯化物例如包含0.2质量％～60质量％的MgCl2和40质量％～99.8质量％的KCl。作为氯化物相对于铜氧化物的质量比例的配合比例如为0.15以上。氯化物可以为熔炼盐，也可以为混合盐。另外，氯化物中的至少一部分可以为包含基础金属元素和Mg的矿物或者是矿物来源氯化物。Mg除去剂的优选例为向铝合金熔体中导入的粒状的熔剂。
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公开(公告)号：CN116762157A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202280009850.0
申请日：2022-01-14
Applicant: 学校法人关西学院 , 株式会社山梨技术工房 , 丰田通商株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种能够在不破坏半导体单晶衬底的情况下评价加工变质层的新技术。本发明是一种加工变质层的评价方法，其中，使激光(L1)从半导体单晶衬底(100)的表面入射，基于在所述半导体单晶衬底的内部散射的散射光(L4)的强度来评价加工变质层(101)。本发明包括：测量步骤(S20)，测量使激光(L1)入射到半导体单晶衬底(100)的内部而散射的散射光(L4)；以及评价步骤(S30)，基于散射光(L4)的强度来评价加工变质层(101)。
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公开(公告)号：CN110431654B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201880019339.2
申请日：2018-03-20
Applicant: 丰田通商株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，处理前SiC晶片(40)含有平行于(0001)面的位错即BPD、和TED，且以处理前SiC晶片(40)的表面的属BPD的部分在外延层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115398043A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028205.9
申请日：2021-03-30
IPC: C30B29/36 , B23K26/382 , C30B33/02 , C30B33/04 , C30B33/12 , H01L21/268
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的新颖技术。本发明是一种碳化硅衬底的制造方法，包括：进行激光加工以通过对碳化硅衬底照射激光而去除所述碳化硅衬底的一部分的加工步骤，和通过对所述碳化硅衬底进行热处理而去除通过所述加工步骤引入到所述碳化硅衬底中的应变层的应变层去除步骤。此外，本发明是一种去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法，其包括对碳化硅衬底进行热处理的应变层去除步骤。
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公开(公告)号：CN114424343A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065920.5
申请日：2020-09-24
Inventor： 金子忠昭
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种与具有能够降低电阻的位错转变层的SiC衬底和SiC半导体相关的新技术。本发明是一种SiC衬底和一种SiC半导体装置，其包括掺杂浓度为1×1015cm‑3以上的位错转变层(12)。通过包括这样的掺杂浓度的位错转变层(12)，可以抑制基底面位错扩展而产生高电阻的层叠缺陷，可以降低制造SiC半导体装置时的电阻。
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公开(公告)号：CN114423889A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065931.3
申请日：2020-09-24
Inventor： 金子忠昭
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。此外，本发明是一种SiC单晶的制造装置，包括：主体容器，由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体；和加热炉，能够将所述主体容器在1800℃以上进行加热。
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公开(公告)号：CN114293247A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111338480.9
申请日：2017-04-27
Abstract: 在由包含TaC的材料组成的TaC容器(2)内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器(3)，且在将衬底基板(40)收容在该SiC容器(3)内部的状态下，以该TaC容器(2)内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器(2)。其结果，通过因SiC容器(3)的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合，在衬底基板(40)上生长单晶3C‑SiC的外延层(41)。
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