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发明授权
改性SiC晶片的制造方法、附有外延层的SiC晶片、其制造方法、及表面处理方法有权转让

公开(公告)号：CN110431654B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201880019339.2

申请日：2018-03-20

Applicant: 丰田通商株式会社

Inventor： 鸟见聪 , 须藤悠介 , 篠原正人 , 寺元阳次 , 坂口卓也 , 野上晓 , 北畠真

IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20

Abstract: 在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，处理前SiC晶片(40)含有平行于(0001)面的位错即BPD、和TED，且以处理前SiC晶片(40)的表面的属BPD的部分在外延层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。

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