发明申请
- 专利标题： MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
- 专利标题（中）： 磁性元件和磁记忆
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申请号： US15262117申请日： 2016-09-12
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公开(公告)号： US20160380029A1公开(公告)日： 2016-12-29
- 发明人: Naoki HASE , Tadaomi Daibou , Yushi Kato , Shumpei Omine , Junichi Ito
- 申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 申请人地址： JP Minato-ku
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Minato-ku
- 优先权： JP2014-191669 20140919
- 主分类号： H01L27/22
- IPC分类号： H01L27/22 ; G11C11/16 ; H01L43/02 ; H01L43/12 ; H01L43/08 ; H01L43/10
摘要：
A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a first magnetic layer; a second magnetic layer; and a first nonmagnetic layer disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer, the second magnetic layer containing a material with a composition (lR1-xhRx)z(TM1-yZy)1-z (0
公开/授权文献
- US09991314B2 Magnetoresistive element and magnetic memory 公开/授权日：2018-06-05
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IPC分类:
