具有热增强性能的封装结构

实用新型

CN219873491U 具有热增强性能的封装结构有权

摘要：

本实用新型提供一种包括芯片堆叠结构、热增强组件及第一绝缘包封体的具有热增强性能的封装结构。热增强组件堆叠在芯片堆叠结构之上并热耦合到芯片堆叠结构，其中热增强组件的第一侧向尺寸大于芯片堆叠结构的第二侧向尺寸。第一绝缘包封体侧向地包封热增强组件及芯片堆叠结构。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/28	.封装，例如密封层、涂覆物（H01L23/552优先）
H01L23/31	..按配置特点进行区分的