发明授权
CN1983612B 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体装置及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and manufacturing method thereof
-
申请号: CN200610166709.4申请日: 2006-12-08
-
公开(公告)号: CN1983612B公开(公告)日: 2010-07-21
- 发明人: 野间崇 , 冈田和央 , 石部真三 , 北川胜彦 , 森田佑一 , 大塚茂树 , 山田纮士 , 大久保登 , 篠木裕之 , 沖川满
- 申请人: 三洋电机株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 三洋电机株式会社
- 当前专利权人: 三洋电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 优先权: 361707/05 2005.12.15 JP
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146 ; H01L23/485 ; H01L21/50 ; H01L21/60
摘要:
一种半导体装置,在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此,配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上,在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
公开/授权文献
- CN1983612A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日:2007-06-20
IPC分类: