- 专利标题: MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法
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申请号: CN202311515648.8申请日: 2023-11-15
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公开(公告)号: CN117238580B公开(公告)日: 2024-03-15
- 发明人: 张跃 , 刘亮 , 廖庆亮 , 赵璇 , 刘欢 , 孙嘉彬
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 沈阳中宇天信专利代理有限公司
- 代理商 胡亚兰
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00 ; H01B5/14 ; H01B1/02 ; H01B1/04 ; H01B1/06

摘要:
本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法,涉及铜基导电复材的技术领域,本发明旨在提出一种新的制备方法,解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤:S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜,得到Ti/Cu/Ti材料;S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉,在第一混合气流下加热至600‑1000℃;随后切断第一混合气流,同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料;S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中,经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。
公开/授权文献
- CN117238580A MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法 公开/授权日:2023-12-15