发明授权
- 专利标题: 一种单晶炉及降低单晶炉中硅蒸汽的方法
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申请号: CN202310610277.5申请日: 2023-05-29
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公开(公告)号: CN116377562B公开(公告)日: 2023-08-22
- 发明人: 李林东 , 高伟杰 , 陈伟 , 丁云飞 , 陈志军 , 吴超慧 , 张鹏 , 卢亮 , 许堃
- 申请人: 苏州晨晖智能设备有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市自由贸易试验区中国(江苏)苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道88号G3-2401
- 专利权人: 苏州晨晖智能设备有限公司
- 当前专利权人: 苏州晨晖智能设备有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市自由贸易试验区中国(江苏)苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道88号G3-2401
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 刘锋
- 主分类号: C30B15/00
- IPC分类号: C30B15/00 ; C30B29/06
摘要:
本申请的实施例提供了一种单晶炉及降低单晶炉中硅蒸汽的方法,涉及单晶炉技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、保温筒、加热器以及水冷硅管;保温筒设置在炉体内,坩埚设置于保温筒内,坩埚内用于盛放熔融硅液,加热器围设于坩埚外,加热器与保温筒之间设置有间隙,水冷硅管设置于间隙内,水冷硅管内用于通入冷却水,且水冷硅管用于供硅蒸气附着;水冷硅管包括依次设置的多个环形管,多个环形管均绕设于坩埚外,环形管之间通过竖直连接管相连通,其不易造成热场中的石墨件、碳碳件侵蚀损伤,也不易出现硅蒸汽与单晶炉内漂浮的其他杂质发生反应形成化合物的情形,也不易引起石墨件发生打火拉弧现象。
公开/授权文献
- CN116377562A 一种单晶炉及降低单晶炉中硅蒸汽的方法 公开/授权日:2023-07-04
IPC分类: