Invention Publication
- Patent Title: CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法
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Application No.: CN202211424868.5Application Date: 2022-11-14
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Publication No.: CN115768151APublication Date: 2023-03-07
- Inventor: 郝群 , 唐鑫 , 陈梦璐 , 罗宇宁
- Applicant: 北京理工大学
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村南大街5号
- Assignee: 北京理工大学
- Current Assignee: 北京理工大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村南大街5号
- Agency: 北京开阳星知识产权代理有限公司
- Agent 王雪
- Main IPC: H10K39/32
- IPC: H10K39/32 ; H10K30/35 ; H10K30/40 ; H10K71/00 ; H04N25/10
![CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法](/CN/2022/1/284/images/202211424868.jpg)
Abstract:
本公开实施例涉及一种CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法,该成像芯片包括基底;探测单元,设置在基底的一侧,且阵列排布;探测单元包括可见光探测子单元和红外光探测子单元;可见光探测子单元在基底上的垂直投影与红外光探测子单元在基底上的垂直投影间错开;可见光探测子单元用于响应可见光输出对应的第一电信号;红外光探测子单元用于响应红外光输出对应的第二电信号;金属布线层,红外光探测子单元连接于金属布线层背离基底的一侧。由此,在现有的探测可见光CMOS成像芯片的基础上,将可见光探测子单元与红外光探测子单元结合至同一芯片,扩展了红外光探测波段,实现红外‑可见光宽光谱的成像探测。
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