发明公开
CN115692376A 半导体结构及其形成方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体结构及其形成方法
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申请号： CN202210938467.5申请日： 2022-08-05
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公开(公告)号： CN115692376A公开(公告)日： 2023-02-03
- 发明人: 陈明发 , 萧闵谦 , 胡致嘉 , 普翰屏 , 黄靖祐 , 林振昇 , 叶松峯 , 史朝文
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 63/249,861 20210929 US 63/251,099 20211001 US 17/698,121 20220318 US
- 主分类号： H01L23/535
- IPC分类号： H01L23/535 ; H01L23/31 ; H01L25/16 ; H01L25/18 ; H01L21/50
摘要：
实施例利用桥接管芯，桥接管芯直接接合至两个或多个器件管芯并且桥接两个或多个器件管芯。每个器件管芯可以具有堆叠在其上的附加器件管芯。在一些实施例中，桥接管芯可以桥接设置在桥接管芯下方和上方的器件管芯。在一些实施例中，几个桥接管芯可以用于将器件管芯桥接至其他邻近的器件管芯。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
IPC分类:
