- 专利标题: 局部降电压的集成电路物理实现方法、装置和计算机设备
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申请号: CN202211637052.0申请日: 2022-12-20
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公开(公告)号: CN115618782B公开(公告)日: 2023-03-17
- 发明人: 宋睿强 , 邵津津 , 刘必慰 , 胡春媚 , 吴振宇 , 梁斌 , 陈建军 , 罗登
- 申请人: 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理商 唐品利
- 主分类号: G06F30/337
- IPC分类号: G06F30/337
摘要:
本申请涉及集成电路设计技术领域的一种局部降电压的集成电路物理实现方法、装置和计算机设备,所述方法通过对集成电路模块的版图进行区域划分,获取每个区域内所有标准单元在某个较低电压条件下的建立时间时序余量;当单个区域内所有标准单元的建立时间时序余量均大于0时,便切断该区域与集成电路模块连接的电源网络,该区域地网络与集成电路模块的地网络仍正常连接;然后在该区域设置降电压单元,并将降电压单元的输出端与该区域已切断的电源网络相连。该方法能够降低集成电路模块中局部特定区域的电源电压,使特定区域内的全部标准单元工作在一个较低的电压条件下,从而降低局部特定区域内的电路功耗值,达到优化集成电路整体功耗的目的。
公开/授权文献
- CN115618782A 局部降电压的集成电路物理实现方法、装置和计算机设备 公开/授权日:2023-01-17